| 主权项 |
1.一种检查离子束是否垂直于晶片表面的方法,包含:提供一晶片,该晶片上为一显色层所覆盖;形成一可蚀刻层于该显色层上;移除部分该可蚀刻层,以曝露出该显色层;进行离子植入至该暴露出的显色层;移除该可蚀刻层;以及进行该显色层的分析。2.如申请专利范围第1项之检查方法,其中上述的显色层在该进行离子植入的步骤前后可以呈现出颜色变化。3.如申请专利范围第1项之检查方法,其中上述的显色层形成步骤包含:形成一氧化矽层于该晶片上;及沉积一多晶矽层于该氧化矽层上。4.如申请专利范围第1项之检查方法,其中上述的显色层系由一厚度约300埃的一氧化矽层,与一厚度约800埃的一多晶矽层所组成。5.如申请专利范围第4项之检查方法,其中上述的显色层系蓝色。6.如申请专利范围第1项之检查方法,其中上述的可蚀刻层系一氮化矽层。7.如申请专利范围第1项之检查方法,其中上述的可蚀刻层系一氧化矽层。8.如申请专利范围第1项之检查方法,其中上述的显色层分析步骤系比对该显色层中之一离子植入区域的颜色与一没有离子植入的区域之另一颜色。9.如申请专利范围第1项之检查方法,其中上述的显色层分析步骤至少包含一利用该可蚀刻层之一厚度与该暴露出的显色层之一宽度的比例来计算出该离子束偏差角度之步骤。10.一种检查离子束是否垂直于晶片表面的方法,包含:提供一晶片,该晶片上为一显色层所覆盖;形成一可蚀刻层于该显色层上;移除部分该可蚀刻层,以形成复数组可曝露出该显色层的开口;进行离子植入至该暴露出的显色层;移除该可蚀刻层;以及进行该显色层的分析。11.如申请专利范围第10项之检查方法,其中上述的显色层在进行离子植入的步骤前后可呈现出颜色的变化。12.如申请专利范围第10项之检查方法,其中上述的显色层形成步骤包含:形成一氧化矽层于该晶片上;及沉积一多晶矽层于该氧化矽层上。13.如申请专利范围第10项之检查方法,其中上述的显色层系由一厚度约300埃的一氧化矽层,与一厚度约800埃的一多晶矽层所组成。14.如申请专利范围第13项之检查方法,其中上述的显色层系蓝色。15.如申请专利范围第10项之检查方法,其中上述的可蚀刻层系一氮化矽层。16.如申请专利范围第10项之检查方法,其中上述的可蚀刻层系一氧化矽层。17.如申请专利范围第10项之检查方法,其中上述的显色层分析步骤系比对该显色层之一离子植入区域的颜色与一没有离子植入的区域之另一颜色。18.如申请专利范围第10项之检查方法,其中上述的显色层分析步骤至少包含一利用该可蚀刻层之一厚度与该暴露出的显色层之一宽度的比例来计算出该离子束偏差角度之步骤。19.一种检查离子束是否垂直于晶片表面的方法,包含:沉积一氧化矽层于一晶片上;沉积一多晶矽层于该氧化矽层上;沉积一可蚀刻层于该多晶矽层上;蚀刻该可蚀刻层,以形成复数组可曝露出该多晶矽层的开口;进行离子植入至该多晶矽层;移除该可蚀刻层;以及进行该多晶矽层的分析。20.如申请专利范围第19项之检查方法,其中上述的显色层在进行离子植入步骤之前后可呈现出颜色的变化。21.如申请专利范围第19项之检查方法,其中上述的可蚀刻层系一氮化矽层。22.如申请专利范围第19项之检查方法,其中上述的可蚀刻层系一氧化矽层。23.如申请专利范围第19项之检查方法,其中上述的多晶矽层分析步骤系比对该氧化矽层与该多晶矽层的组合之一离子植入区域的颜色与一没有离子植入的区域之另一颜色。图式简单说明:第一图、第二图、第三A图及第三B图系根据本发明所揭露之技术,在一晶片上进行离子植入时的各步骤结构示意图。 |
