发明名称 降低基材支撑器之热梯度的方法及设备
摘要 一种用以降低例如陶瓷晶圆支撑托架之基材支撑器的热梯度之方法与设备。明确地说,本发明为一加热器控制器,其限制被施加至内藏于陶瓷托架内之电阻性加热器之功率量。加热器控制器包含所需用以限制施加至一或多数相对于单一其他区域之区域之功率数量的电路。该加热器控制器同时包含所需用以检测于加热器控制器及被加热区间之故障或断线的电路。
申请公布号 TW503484 申请公布日期 2002.09.21
申请号 TW089103099 申请日期 2000.02.22
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 文森E.伯克哈特;史帝芬山索尼;麦克N 索格曼;陈涛
分类号 H01L21/324 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种用以控制于基材支撑件托架之一或多数区域内所产生之热梯度之设备,该设备至少包含:一加热器控制器,连接至该托架,其中该加热器控制器更包含一区域控制模组。2.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之托架更包含一电阻性加热器,具有一或多数线圈,每一线圈均相对于该一或多数线圈。3.如申请专利范围第2项所述之设备,其中上述之区域控制模组控制提供至该一或多数线圈之功率量。4.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之加热器控制器更包含一区域比例控制模组。5.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之加热器控制器更包含一相角控制模组,连接至该区域控制模组。6.如申请专利范围第2项所述之设备,其中上述之加热器控制器更包含一接线检测电路,连接至该区域控制模组。7.如申请专利范围第6项所述之设备,其中上述之接线检测电路估算于加热器控制器及加热器间之一或多数连接状态。8.如申请专利范围第7项所述之设备,其中上述之一或多数连接状态系由包含所有连接均适当连接至所有线圈,一或多数相对于线圈接反之连接,一或多数未由加热器控制器传送电源至一或多线圈,于不当时间一或多数连接由加热器控制器传送电源至一或多数线圈,一或多数连接短路及一或多数连接开路之群组中选择出。9.如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之基材支撑托架为一陶瓷托架,具有一电阻性加热器内藏于其中。10.一种用以降低于基材支撑托架内之热梯度之方法,该陶瓷托架具有一或多数区域,该方法至少包含步骤:(a)施加一等量功率至所有之区域,用以均匀升温基材支撑托架;(b)执行传送至一或多数区域之功率位准之检查;(c)允许基材支撑托架之热升温至一预定设定点;及(d)到达该设定点时,使一或多数区域之一区域维持功率原始量,则会有成比例的较少功率施加至剩余区域之至少一区域。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之步骤(a)更包含施加由加热器控制器所产生之功率的100%至基材支撑托架。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之步骤(b)更包含决定于基材支撑托架及加热器控制器间之电气连接是否适当连接。13.如申请专利范围第12项所述之方法,若上述之电气连接未被适当连接,则执行一断电或该连接之重新检查。14.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之步骤(c)更包含将基材支撑托架之温度提升至550℃之温度。15.如申请专利范围第11项所述之方法,其中上述之步骤(d)更包含施加100%功率至基材支撑托架之第一外部区域,及施加该功率之50%至该基材支撑托架之第二内部区域。16.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之基材支撑托架系为一陶瓷静电夹盘。17.一种用以控制基材支撑件之系统,该支撑件具有一或多数可温度控制区域,于一般目的电脑系统中之电脑可读取媒体,其当执行一分区温度控制程式,而作为一特殊目的控制器,该温度控制程式,用于基材支撑件上,以执行一处理,该处理至少包含下列步骤:(a)施加一等量功率至所有之区域,用以均匀升温基材支撑托架;(b)执行传送至一或多数区域之功率位准之检查;(c)允许基材支撑托架之热升温至一预定设定点;及(d)到达该设定点时,使一或多数区域之一区域维持功率原始量,则会有成比例的较少功率施加至剩余区域之至少一区域。图式简单说明:第1图为一含电阻性加热器之陶瓷托架之剖面图,该加热器系连接至依据本发明之加热器控制器;第2图为第1图之剖线2-2所取之电阻性加热器之俯视图;第3图为一系统示意图,其依据本发明控制至陶瓷加热器之功率及电流;第4图为依据本发明控制之电阻性加热器之功率对温度表;第5图为用以控制本发明之系统之系统控制器之详细图;及第6图为依据本发明以控制功率及电流之方法的步骤图。
地址 美国