| 主权项 |
1.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件;提供液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中〝二烯〞系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、包含卤基、Si、S、Se、P、As、N或O杂原子、或该等杂原子之组合的其衍生物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物面向该半导体基材或基材组件,以于该半导体基材或基材组件表面上形成钌金属薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材或基材组件之温度系150℃至350℃。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材或基材组件之温度系200℃至250℃。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该基材或基材组件系容装于一反应槽中,压力系10-3托耳至1大气压。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该基材或基材组件系容装于一反应槽中,压力系0.1托耳至10托耳。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该基材或基材组件系容装于一反应槽中,压力系0.1托耳至10托耳。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该蒸发该液体先质之步骤系包括一化学蒸汽沉积技术,选自闪蒸、扩散、微滴形成、及其组合。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体基材或基材组件系包括一矽晶圆。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该先质组成物系于至少一种载体气体存在下蒸发。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该先质组成物系于至少一种还原气体存在下蒸发。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该先质组成物系于先质H2.NH3.及其组合物之还原气体存在下蒸发。12.如申请专利范围第1项之方法,其中该二烯衍生物为氟化衍生物。13.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件,其系150℃至350℃之温度,容装于压力10-3托耳至1大气压之反应槽中;提供温度20℃至50℃之液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中〝二烯〞系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、包含卤基、Si、S、Se、P、As、N或O杂原子、或该等杂原子之组合的其衍生物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物面向该半导体基材或基材组件,以于该半导体基材或基材组件表面上形成钌金属薄膜。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该二烯衍生物为氟化衍生物。15.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件;提供液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中〝二烯〞系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、包含卤基、Si、S、Se、P、As、N或O杂原子、或该等杂原子之组合的其衍生物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;使该经蒸发之先质组成物面向该半导体基材或基材组件,以于该半导体基材或基材组件表面上形成钌金属薄膜;及使该钌金属薄膜退火。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该退火步骤系于300℃至1000℃之温度下进行。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该二烯衍生物为氟化衍生物。18.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件,其包括一个具有一或多个小型高宽高比开口之表面;提供液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中〝二烯〞系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、包含卤基、Si、S、Se、P、As、N或O杂原子、或该等杂原子之组合的其衍生物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物面向该半导体基材或基材组件,以于该具有一或多个高宽高比开口之半导体基材或基材组件表面上形成钌金属薄膜。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该二烯衍生物为氟化衍生物。20.一种于一基材上形成钌薄膜之方法,该方法包括:提供一基材;提供液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中〝二烯〞系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、包含卤基、Si、S、Se、P、As、N或O杂原子、或该等杂原子之组合的其衍生物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物面向该基材,以于该基材表面上形成钌金属薄膜。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该二烯衍生物为氟化衍生物。22.一种产制半导体结构之方法,该方法包括:提供半导体基材或基材组件,包括一个具有一或多个高宽高比开口之表面,其系为150℃至350℃之温度,其中该半导体基材系容装于压力10-3托耳至1大气压之反应槽内;提供温度20℃至50℃之液体先质组成物,其包含一或多种下式(式I)之化合物:(二烯)Ru(CO)3其中〝二烯〞系意指直链、分枝链、或环状二烯、二环二烯、三环二烯、包含卤基、Si、S、Se、P、As、N或O杂原子、或该等杂原子之组合的其衍生物;蒸发该液体先质组成物以形成经蒸发之先质组成物;及使该经蒸发之先质组成物面向该半导体基材或基材组件,以于该具有一或多个小型高宽高比开口之半导体基材或基材组件表面上形成钌金属薄膜。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该二烯衍生物为氟化衍生物。图式简单说明:图1系为适用于本发明方法之化学蒸汽沉积涂布系统之图示。 |
