| 主权项 |
1.一种单晶片系统元件的制造方法,该方法包括:提供一基底,该基底区分为一记忆胞区与一周边电路区,且该周边电路区包括一逻辑元件区与一混合电路区;于该基底上依序形成一闸极氧化层、一复晶矽层与一介电层;去除覆盖于该记忆胞区上方之该介电层;于该基底上依序形成一导电层与一顶盖层;于该顶盖层上形成一第一光阻层,该第一光阻层覆盖该记忆胞区中预定形成之复数个记忆胞元件之闸极区域以及该混合电路区中一预定形成之电容器的上电极区域;以该第一光阻为罩幕,该介电层为终止层,去除该混合电路区中未被该第一光阻层所覆盖之该顶盖层与该导电层,以形成一电容器的上电极,并以该闸极氧化层为终止层,去除该记忆胞区未被该第一光阻层所覆盖之该顶盖层与其下方之该导电层与该复晶矽层,以形成复数个记忆元件之闸极;去除该第一光阻层;于该基底上形成一第二光阻层,以覆盖该记忆胞区、该逻辑元件区中一预定形成闸极之区域以及该混合电路区中一预定形成之电容器的下电极区域;以及以该第二光阻层为罩幕,去除末被该第二光阻层所覆盖的该介电层与该复晶矽层,以在该逻辑元件区形成一闸极导体层并在该混合电路区形成一电容介电层与一电容器之下电极。2.如申请专利范围第1项所述之单晶片系统元件的制造方法,于该基底上依序形成该闸极氧化层之前更包括于该记忆胞区之该基底中形成一第一井;于该逻辑元件区之该基底中形成一第二井;以及于该混合电路区之该基底中形成一第三井。3.如申请专利范围第2项所述之单晶片系统元件的制造方法,其中该第二井与该第三井之浓度高于该第一井之浓度。4.如申请专利范围第1项所述之单晶片系统元件的制造方法,于该基底中形成该第一井、该第二井与该第三井之后,更包括于该基底中形成复数个浅沟渠隔离结构。5.如申请专利范围第1项所述之单晶片系统元件的制造方法,其中该介电层与该顶盖层、该导电层、该复晶矽层具有不同的蚀刻率。6.如申请专利范围第5项所述之单晶片系统元件的制造方法,其中该介电层包括一氧化物/氮化物/氧化物结构。7.如申请专利范围第5项所述之单晶片系统元件的制造方法,其中该导电层之材质包括金属矽化物。8.如申请专利范围第5项所述之单晶片系统元件的制造方法,其中该导电层包括一复晶矽化金属层。9.如申请专利范围第5项所述之单晶片系统元件的制造方法,其中该顶盖层之材质包括氮氧化矽。10.如申请专利范围第5项所述之单晶片系统元件的制造方法,其中该顶盖层之材质包括氮化矽。11.一种积体电路元件的制造方法,该方法包括:提供一基底,该基底区分为一记忆胞区与一周边电路区,且该周边电路区包括一逻辑元件区与一混合电路区;于该基底上依序形成一闸极氧化层、一复晶矽层与一介电层;去除覆盖于该记忆胞区上方之该介电层;于该基底上依序形成一导电层与一顶盖层;于该顶盖层上形成一第一光阻层,该第一光阻层覆盖该记忆胞区中一预定形成之复数个记忆胞元件之闸极区域以及该混合电路区中一预定形成之电容器的上电极区域;以该第一光阻为罩幕,该介电层为终止层,去除该混合电路区中未被该第一光阻层所覆盖之该顶盖层与该导电层,以形成一电容器的上电极,并以该闸极氧化层为终止层,去除该记忆胞区未被该第一光阻层所覆盖之该顶盖层与其下方之该导电层与该复晶矽层,以形成复数个记忆元件之闸极;去除该第一光阻层;于该基底上形成一第二光阻层,以覆盖该记忆胞区、该逻辑元件区中一预定形成闸极之区域以及该混合电路区中一预定形成之电容器的下电极区域;以及以该第二光阻层为罩幕,去除未被该第二光阻层所覆盖的该介电层与该复晶矽层,以在该逻辑元件区形成一闸极导体层并在该混合电路区形成一电容介电层与一电容器之下电极。12.如申请专利范围第11项所述之积体电路元件的制造方法,于该基底上依序形成该闸极氧化层之前更包括于该记忆胞区之该基底中形成一第一井;于该逻辑元件区之该基底中形成一第二井;以及于该混合电路区之该基底中形成一第三井。13.如申请专利范围第12项所述之积体电路元件的制造方法,其中该第二井与该第三井之浓度高于该第一井之浓度。14.如申请专利范围第12项所述之积体电路元件的制造方法,于该基底中形成该第一井、该第二井与该第三井之后,更包括于该基底中形成复数个浅沟渠隔离结构。15.如申请专利范围第11项所述之积体电路元件的制造方法,其中该介电层与该顶盖层、该导电层、该复晶矽层具有不同的蚀刻率。16.如申请专利范围第15项所述之积体电路元件的制造方法,其中该介电层包括一氧化物/氮化物/氧化物结构。17.如申请专利范围第15项所述之积体电路元件的制造方法,其中该导电层之材质包括金属矽化物。18.如申请专利范围第15项所述之积体电路元件的制造方法,其中该导电层包括一复晶矽化金属层。19.如申请专利范围第15项所述之积体电路元件的制造方法,其中该顶盖层之材质包括氮氧化矽。20.如申请专利范围第15项所述之积体电路元件的制造方法,其中该顶盖层之材质包括氮化矽。图式简单说明:第1A图至第1E图,系绘示本发明实施例一种单晶片系统元件的制造方法的剖面示意图。 |
