| 主权项 |
1.一种光接收装置,包含:第1导电型态之半导体基板;与在该半导体基板之表面上形成之由第2导电型态的杂质区域构成之受光部,其特征为:在该受光部之表面上,仅部分地覆盖该受光部之表面地形成由该第1导电型之第1杂质区域构成之第1屏蔽部;于该半导体基板的表面区域之该受光部之周围,形成由该第1导电型态的杂质区域构成之第2屏蔽部;该第2屏蔽部形成为深度深于该受光部。2.如申请专利范围第1项之光接收装置,其特征为:该第1屏蔽部在该受光部表面所占之面积与该受光部整体表面积之面积比为0.40~0.60。3.如申请专利范围第1项之光接收装置,其特征为:该第1与第2屏蔽部系电性连接。4.如申请专利范围第3项之光接收装置,其特征为:该第1与第2屏蔽部系形成为一体。5.如申请专利范围第3项之光接收装置,其特征为:该第1与第2屏蔽部系经由金属配线而连接。6.如申请专利范围第5项之光接收装置,其特征为:该金属配线设置成几乎完全覆盖该半导体基板上之该受光部之边界区域。7.如申请专利范围第1项之光接收装置,其特征为:该第2屏蔽部在该半导体基板表面上几乎一整圈地包围该受光部。8.如申请专利范围第1项之光接收装置,其特征为:在该半导体基板的底表面区域上形成由该第1导电型态的杂质区域所构成之接触层,该半导体基板之几乎整个底表面藉由导电性黏着剂黏着于引线上。9.如申请专利范围第8项之光接收装置,其特征为:该半导体基板侧面下方至少有一部分由该导电性黏着剂所覆盖。10.如申请专利范围第9项之光接收装置,其特征为:该接触层形成于该半导体基板之几乎整个底表面上,该半导体基板侧面上之该接触层之侧表面由该导电性黏着剂所覆盖。11.如申请专利范围第8项之光接收装置,其特征:该第1屏蔽部与该第2屏蔽部电性连接,于该第2屏蔽部上,设有连接于该引线之阳极。12.如申请专利范围第1项之光接收装置,其特征为:该屏蔽部在该受光部表面所占区域之形状为圆形。图式简单说明:第1图表示本发明之第1实施例的光接收装置之构造的俯视图。第2图表示第1图所示之本发明的第1实施例之光接收装置的构造之剖面图。第3图表示本发明的第1实施例之光接收装置的穿透电磁杂讯量与屏蔽面积比的关系图。第4图表示本发明的第1实施例之光接收装置的自发杂讯量与屏蔽面积比的关系图。第5图表示本发明的第1实施例之光接收装置作为光遥控接收装置使用时,接收距离与屏蔽面积比的关系图。第6图表示本发明的第2实施例之光接收装置的构造之俯视图。第7图表示本发明的第2实施例之光接收装置作为光遥控接收装置使用时,接收距离与屏蔽面积比的关系图。第8图表示本发明的第3实施例之光接收装置的构造之俯视图。第9图表示第8图所示之本发明的第3实施例之光接收装置的构造之剖面图。第10图表示仅在受光部表面形成屏蔽部之光接收装置的一例之俯视图。第11图表示在受光部表面上形成之屏蔽部为矩形的光接收装置之俯视图。第12图表示在受光部表面上所形成之屏蔽部的形状为圆形之光接收装置之俯视图。 |
