| 摘要 |
<p>본 발명에 따른 반도체 소자의 평탄화 방법에서는 규소 기판 위에 스트레스 방지층으로 패드 산화막을 증착하고, 그 위에 질화막을 증착한다. 질화막, 패드 산화막 및 규소 기판을 차례로 식각하여 트렌치를 형성한 다음, 트렌치 내에 열산화 방법으로 라이너 산화막을 얇게 형성한다. 그 상부에 산화막을 8,000~10,500Å 정도 증착한 다음, 트렌치 상부를 제외한 산화막을 제거하는데, 이때 건식 식각을 이용한 AIA 방법을 사용한다. 다음, 그 위에 표면이 평탄하게 되도록 감광막을 도포한 후, 산화막의 두께가 질화막 표면으로부터 500~2,000Å이 될 때까지 감광막 및 산화막을 전면 식각한다. 이어, CMP 공정을 실시하여 산화막 표면이 질화막과 거의 같아질 때까지 감광막 및 산화막을 연마한다. 따라서, 불순물 입자나 결함의 생성을 방지할 수 있으며, 패턴 정도에 따라 연마 속도 차이가 있더라도 연마되는 두께가 작아 패턴 정도에 따라 연마되는데 걸리는 시간이 균일하다.</p> |
