| 主权项 |
1.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成一电荷捕捉层;于该电荷捕捉层上形成复数个长条状导电层;于该些长条状导电层之间的该基底中形成复数条埋入式位元线,其中每一埋入式位元线与其相邻之一长条状导电层之间相隔有一段距离;于各长条状导电层之侧壁形成一高介电常数间隙壁;定义该些长条状导电层成为复数个闸极;以及于该基底上方形成电性连接该些闸极之复数条字元线,其中该高介电常数间隙壁之材质具有一足够高的介电常数,且该高介电常数间隙壁具有一足够的宽度,使得该非挥发性记忆体在操作时所形成之一通道可延伸至该高介电常数间隙壁下方,且与该埋入式位元线电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该介电常数大于30。3.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中在形成该些埋入式位元线之后,更包括进行一回火步骤。4.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中每一埋入式位元线系延伸至部分该高介电常数间隙壁的下方,且未延伸至相邻之一长条状导电层的下方。5.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该电荷捕捉层包括由下而上堆叠之一第一氧化矽层、一氮化矽层与一第二氧化矽层。6.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该些埋入式位元线之形成步骤如下:于该些长条状导电层之侧壁形成复数个牺牲间隙壁;以该些长条状导电层与该些牺牲间隙壁为罩幕,进行一离子植入步骤,以形成该些埋入式位元线;以及去除该些牺牲间隙壁。7.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该电荷捕捉层包括由下而上堆叠之一第一氧化矽层、一氮化矽层与一第二氧化矽层;以及去除该些牺牲间隙壁时,并将暴露于该些长条状导电层之外的该第二氧化矽层去除。8.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该些牺牲间隙壁之材质系为氧化矽与氮化矽二者择一。9.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中:每一埋入式位元线系延伸至部分该高介电常数间隙壁的下方,且未延伸至相邻之一长条状导电层的下方;任一牺牲间隙壁之宽度小于任一高介电常数间隙壁之宽度;以及该离子植入步骤系为一垂直离子植入步骤。10.如申请专利范围第6项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中:每一埋入式位元线系延伸至部分该高介电常数间隙壁的下方,且未延伸至相邻之一长条状导电层的下方;任一牺牲间隙壁之宽度与任一高介电常数间隙壁之宽度大致相同;以及该离子植入步骤系为一倾斜离子植入步骤。11.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该高介电常数间隙壁之材质包括Ta2O5。12.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中形成该些闸极与该些字元线的方法包括下列步骤:定义该些长条状导电层,以形成该些闸极;以一介电材料填满该些闸极之间隙和该些高介电常数间隙壁之间隙;以及于该基底上方形成与该些闸极电性连接之该些字元线。13.如申请专利范围第1项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中形成该些闸极与该些字元线的方法包括下列步骤:以一介电材料填满该些高介电常数间隙壁之间隙;于该介电材料与该些长条状导电层上形成一导电层;以及定义该导电层以形成与该些长条状导电层交错之该些字元线,并继续定义该些长条状导电层以形成该些闸极。14.一种非挥发性记忆体的制造方法,包括下列步骤:提供一基底;于该基底上形成一电荷捕捉层,该电荷捕捉层包括由下而上堆叠之一第一氧化矽层、一氮化矽层与一第二氧化矽层;于该第二氧化矽层上形成复数个长条状导电层;于每一长条状导电层之侧壁形成一牺牲间隙壁;以该些长条状导电层与该些牺牲间隙壁为罩幕,进行一离子植入步骤,以于该些长条状导电层之间的该基底中形成复数条埋入式位元线;去除该些牺牲间隙壁;于各长条状导电层之侧壁形成一高介电常数间隙壁;定义该些长条状导电层成为复数个闸极;以一介电材料填满该些闸极之间隙与该些高介电常数间隙壁之间隙;以及于该基底上方形成电性连接该些闸极之复数条字元线,其中该高介电常数间隙壁之材质具有一足够高的介电常数,且该高介电常数间隙壁具有一足够的宽度,使得该非挥发性记忆体操作时所形成之一通道可延伸至该高介电常数间隙壁下方,且与该埋入式位元线电性连接。15.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该介电常数大于30。16.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中在形成该些埋入式位元线之后,更包括进行一回火步骤。17.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中每一埋入式位元线系延伸至部分该高介电常数间隙壁的下方,但未延伸至相邻之一长条状导电层的下方。18.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中:任一牺牲间隙壁之宽度小于任一高介电常数间隙壁之宽度;并且该离子植入步骤系为一垂直离子植入步骤。19.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中:任一牺牲间隙壁之宽度大致与任一高介电常数间隙壁之宽度相同;并且该离子植入步骤系为一倾斜离子植入步骤。20.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该些牺牲间隙壁之材质为氧化矽,且在去除该些牺牲间隙壁时,系一并将暴露于该些长条状导电层之外的该第二氧化矽层去除。21.如申请专利范围第14项所述之非挥发性记忆体的制造方法,其中该高介电常数间隙壁之材质包括Ta2O5。图式简单说明:第1图所绘示为习知SONOS记忆胞的结构及其中资料储存区之位置;第2A~2E图所绘示为本发明较佳实施例之SONOS记忆体的制造流程立体图;以及第3图所绘示为本发明较佳实施例之单一SONOS记忆胞的结构及其中资料储存区之位置。 |
