发明名称 表面声波元件
摘要 一种表面声波元件包含一非对称双电极,此非对称双电极防止带上反射波和传播表面声波间的无法匹配现象,并能实现优良的单向性。该表面声波元件包含该非对称双电极,其中一半波长区间包含具有互不相同宽度的第一和第二带。该半波长配置成定义一基本区间。该表面声波元件包含配置在一压电基片上的至少两个该基本区间。当把该基本区间的中心作为参考位置时,反射中心向量角度的绝对值在约45±10°或约135±10°以内。或者,激励中心和反射中心间的相位差的绝对值在约45±10°或约135±10°以内。
申请公布号 TW511334 申请公布日期 2002.11.21
申请号 TW090115230 申请日期 2001.06.22
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 神藤 始
分类号 H03H9/12 主分类号 H03H9/12
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种表面声波元件,包含一压电基片;以及至少两设置在该压电基片上的基本区间,每一该至少两基本区间包括一非对称双电极,该非对称双电极定义一半波长区间且具有彼此宽度不同的第一和第二条带;其中,当该至少两个基本区间其中之一各自的中心系为在约角度4510或约13510以内范围的参考位置时,藉由综合该第一与第二带的边缘上反射向量而产生的一合成向量得到的反射中心向量角的绝对値,其角度范围系为4510或约13510以内。2.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中,在该带的边缘位置之表面声波的反射量基本上彼此相等。3.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中,该非对称双电极系为一叉指换能器。4.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中,该非对称双电极系为一反射器。5.如申请专利范围第1项之表面声波元件,其中,该压电基片系由一石英晶体材料制成。6.一种表面声波元件,包含一压电基片;以及至少两设置在该压电基片上的基本区间,每一该至少两个基本区间包括一非对称双电极,该非对称双电极定义一半波长区间且具有彼此宽度不同的第一和第二带;其中,该非对称双电极的一激励中心和一反射中心间的相位差的绝对値在约4510或约13510以内。7.如申请专利范围第6项之表面声波元件,其中,在该带的边缘位置之表面声波的反射量基本上彼此相等。8.如申请专利范围第6项之表面声波元件,其中,该非对称双电极系一叉指换能器。9.如申请专利范围第6项之表面声波元件,其中,该非对称双电极系一反射器。10.如申请专利范围第6项之表面声波元件,其中该压电基片系由一石英晶体材料构成。11.一种表面声波元件,包含一压电基片;以及至少两设置在该压电基片上的基本区间,每一该至少两个基本区间包括一非对称双电极,该非对称双电极定义一半波长区间且具有彼此宽度不同的第一和第二带;其中,当该第一和第二带的边缘位置为X1.X2.X3及X4时,其每一系用一自由表面和一金属表面间的一声速差修正的値,以及当来自该边缘位置的归一化反射波的一合成向量长度为||,该至少两基本区间的其中之一的一中心位置为0(),且X1 -X4时,每一X2和X3的位置基本上等于满足下列等式(1)和(2)的一値:X2[]=AX1[]2+BX1[]+C0.1[] …(1)X3[]=DX1[]2+EX1[]+F0.05[] …(2);其中,在等式(1)和(2)中,A至F由下列等式表示:A=-34.546||6+176.36||5-354.19||4+354.94||3-160.44||2+10.095||-1.7558B=-15.464||6+77.741||5-153.44||4+147.20||3-68.363||2+6.3925||-1.7498C=1.772||6+8.7879||5-17.07||4+16.092||3-7.4655||2+0.8379||-0.3318D=12.064||6-45.501||5+57.344||4-22.683||3+12.933||2-15.938||-0.1815E=7.2106||6-30.023||5+45.792||4-29.784||3+13.125||2-6.3973||+1.0203F=1.0138||6-4.4422||5+7.3402||4-5.474||3+2.3366||2-0.7540||+0.2637。12.如申请专利范围第11项之表面声波元件,其中在该带的边缘位置X1.X2.X3.X4之表面声波的反射量基本上彼此相等。13.如申请专利范围第11项之表面声波元件,其中该非对称双电极系一叉指换能器。14.如申请专利范围第11项之表面声波元件,其中该非对称双电极系一反射器。15.如申请专利范围第11项之表面声波元件,其中该压电基片系由一石英晶体材料构成。图式简单说明:图1A系根据本发明一较佳实施例的非对称双电极的平面图。图1B系根据本发明一较佳实施例的非对称双电极的局部剖面图。图2系本发明一较佳实施例中,该非对称双电极激励中心与边缘位置的关系曲线。图3所示为当合成向量长度为0.20时,边缘位置X1=-X4和每一边缘位置X2与X3之间关系的曲线。图4所示为当合成向量长度为0.50时,边缘位置X1=-X4和每一边缘位置X2与X3之间关系的曲线。图5所示为当合成向量长度为1.00时,边缘位置X1=-X4和每一边缘位置X2与X3之间关系的曲线。图6所示为当合成向量长度为1.25时,边缘位置X1=-X4和每一边缘位置X2与X3之间关系的曲线。图7所示为当合成向量长度为1.50时,边缘位置X1=-X4和每一边缘位置X2与X3之间关系的曲线。图8所示为当合成向量长度为1.70时,边缘位置X1=-X4和每一边缘位置X2与X3之间关系的曲线。图9所示为在本发明的较佳实施例中,当由等式(1)得到的边缘位置X2改变时,反射中心角也随之改变的曲线。图10所示为在本发明的较佳实施例中,当边缘位置X3改变时,反射中心角也随之改变的曲线。图11系根据本发明的另一较佳实施例评定一IDT方向性用的电极结构的平面示意图。图12所示为在本发明的另一较佳实施例中获得的基本区间数和方向性之间关系的曲线,以及使用一习知非对称双电极时的基本区间数与方向性之间关系曲线,以做为比较。图13所示为根据本发明另一较佳实施例具有一反射器之一IDT的电极结构的平面图。图14所示为一习知非对称双电极局部剖视之平面示意图。图15所示为说明在图14的非对称双电极中带的边缘位置的局部剖面图。图16所示为在图15中的边缘位置X1至X4的反射向量和它的合成向量V之间关系的说明图。
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