| 主权项 |
1.一种快闪记忆体的抹除方法,该快闪记忆体中包含复数个记忆胞,该方法包括:进行一第一段抹除,其系在该些记忆胞的复数个闸极上施加偏压Vg,并在该些记忆胞的复数个源/汲极上施加偏压Vd,其中偏压Vd系由一起始値开始递增至一预设値,其间皆不进行检查步骤;以及检查该些记忆胞是否已完全被抹除,如是则结束该抹除动作,如否则进行一第二段抹除,其系包含至少一次的升压抹除-检查步骤,直至确定该些记忆胞皆被抹除为止,其中第i次升压抹除-检查步骤包含持续T(i)时间之一升压抹除步骤与其后之一检查步骤,其中第1次升压抹除步骤之偏压Vd高于该预设値,且当i>1时,第i次升压抹除步骤之偏压Vd高于第i-1次升压抹除步骤之偏压Vd。2.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中偏压Vd由该起始値开始至该预设値为止共分为m个阶段,其中第j阶段的偏压Vd为一定値Vd(j),且Vd(j,j>1)大于Vd(j-1)。3.如申请专利范围第2项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中由Vd(j=1)至Vd(j=m)约成一等差级数(Arithmetical Series)。4.如申请专利范围第2项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中m等于4。5.如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中该m个阶段中的每一个阶段的持续时间皆约为30ms。6.如申请专利范围第4项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中偏压Vg为-3V,且Vd(j=1)至Vd(j=4)依序为4.4V、5.2V、6.0V与6.8V。7.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中第i次升压抹除步骤之偏压Vd系设定为一定値Vd(i),其中Vd(i=1)大于该预设値,且Vd(i,i>1)大于Vd(i-1)。8.如申请专利范围第7项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中各Vd(i)依编号排列时约成一等差级数。9.如申请专利范围第8项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中第一偏压为-3V,预设値为6.8V,且Vd(i=1)至Vd(i=3)依序为7.6V、8.4V与9.2V。10.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中各T(i)皆约为30ms。11.如申请专利范围第1项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中抹除该些记忆胞所需之偏压Vd有一分布曲线,该分布曲线在其顶点之后具有一斜率绝对値最大的陡降段,且该预设値之设定系落在该陡降段上。12.一种快闪记忆体的抹除方法,该快闪记忆体中包含复数个记忆胞,该方法包括:进行一第一段抹除,使该些记忆胞之闸极与源/汲极之间皆具有一电位差V,该电位差V系由一起始値开始递增至一预设値,其间皆不进行检查步骤;以及检查该些记忆胞是否已完全被抹除,如是则结束该抹除动作,如否则进行一第二段抹除,其系包含至少一次的升压抹除-检查步骤,直至确定该些记忆胞皆被抹除为止,其中第i次升压抹除-检查步骤系包含持续T(i)时间之一升压抹除步骤与其后之一检查步骤,其中第1次升压抹除步骤之该电位差V高于该预设値,且当i>1时,第i次升压抹除步骤之该电位差V高于第i-1次升压抹除步骤之该电位差V。13.如申请专利范围第12项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中该电位差V由该起始値开始至该预设値为止共分为m个阶段,其中第j阶段的该电位差V为一定値V(j),且V(j,j>1)大于V(j-1)。14.如申请专利范围第13项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中V(j=1)至V(j=m)约成一等差级数。15.如申请专利范围第13项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中m等于4。16.如申请专利范围第15项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中该m个阶段中之每一个阶段的持续时间约为30ms。17.如申请专利范围第12项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中第i次升压抹除步骤之该电位差V为一定値V(i),且V(i,i>1)大于V(i-1)。18.如申请专利范围第17项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中各V(i)依编号排列时约成一等差级数。19.如申请专利范围第12项所述之快闪记忆体的抹除方法,其中各T(i)皆约为30ms。图式简单说明:第1图显示本发明之快闪记忆体抹除方法的流程图;第2图所绘示为本发明较佳实施例之快闪记忆体抹除方法中,源/汲极之偏压Vd随时间的变化,并以""记号标出检查抹除状态的时间点;以及第3图所绘示为本发明之较佳实施例中,抹除各记忆胞所需之偏压Vd的分布曲线,以及对应之偏压Vd起始値Vdi与预设値Vdf的较佳设定。 |
