| 主权项 |
1.一种贴合晶圆之制造方法,其特征在包括:由第1晶圆之表面注入氢离子或稀有气体离子之至少一种离子,而于该第1晶圆内部形成微细气泡层(注入层)之步骤;将该注入有离子之第1晶圆表面所附着之杂质以物理方式去除的步骤;及在该已施行杂质去除步骤之第1晶圆表面与第2晶圆表面之密接状态下施加热处理,而以上述微细气泡层作为剥离面将第1晶圆薄膜状地剥离之步骤。2.如申请专利范围第1项之贴合晶圆之制造方法,其中该热处理系在惰性气体或氧化性气体环境及400~600℃温度下实行者。3.如申请专利范围第1项之贴合晶圆之制造方法,其中,上述以物理方式去除上述杂质之步骤系施行化学机械研磨或CMP者。4.如申请专利范围第1项之贴合晶圆之制造方法,其中,上述第1晶圆为矽晶圆,且在矽晶圆施行离子注入之前,在矽晶圆表面预先形成氧化矽膜者。5.如申请专利范围第1.2.3或4项之任一项之贴合晶圆之制造方法,其中,上述第2晶圆为矽晶圆,且在该矽晶圆之与上述第1晶圆密接之面预先形成氧化矽膜者。图式简单说明:第1图为本发明贴合SOI晶圆制造方法之一例示图;其中流程(A)为仅在不施行离子之基底晶圆侧形成氧化膜之方法;流程(B)为在黏合晶圆上形成氧化膜后再施行离子注入之方法。 |
