具旁路电路之低杂讯放大器

摘要

一种具有放大器模式及旁路模式之低杂讯放大器(10)。在放大器模式中于输入接头(12)收到之输入信号被放大电晶体(40)放大而将输出信号供至输出接头(50)。在旁路模式中输入信号不被放大而是由旁路电路(22)从放大电晶体之基极转移至集极。一输入阻抗匹配电路(14)及一输出阻抗匹配电路(44)连同该旁路电路(22)在低杂讯放大器(10)操作于放大器模式及旁路模式中时提供一恒定输入与输出阻抗。

主权项

1.一种低杂讯放大器,含有:一第一电晶体有一射极耦合至第一电源导体及一集极耦合至第二电源导体;及一旁路电路有一输入耦合至第一电晶体之基极及一输出耦合至第一电晶体之集极,该旁路电路包括一第二电晶体有一控制接头耦合以接收一旁路信号及一第一接头耦合至旁路电路之输入,一第一电感器有一第一接头耦合至第二电晶体之第二接头,一第二电感器有一第一接头耦合至第二电晶体之第二接头,及一第二接头耦合至第一电源导体,及一第三电晶体有一控制接头耦合以接收旁路信号,一第一接头耦合至第一电感器之第二接头及一第二接头耦合至旁路电路之输出。2.如申请专利范围第1项之低杂讯放大器,更含有一电阻器有一第一接头耦合至旁路电路之输入及一第二接头耦合至旁路电路之输出。3.如申请专利范围第1项之低杂讯放大器,更含有一电容器有一第一接头耦合至第一电晶体之集极及一第二接头耦合至旁路电路之输出,并有一电感器耦合于第一电晶体之射极与第一电源导体之间。4.一种具有在一增益设定电晶体基极与集极间前授路径之放大器电路,该前授路径含有:一第一电晶体有一第一电流接头耦合至增益设定电晶体之基极及一控制接头耦合以接收一旁路信号;一第一电感器有一第一接头耦合至第一电晶体之第二电流接头;及一第二电晶体有一控制接头耦合至第一电晶体之控制接头,一第一电流接头耦合至第一电感器之第二接头,及一第二电流接头耦合至增益设定电晶体之集极。5.如申请专利范围第4项之放大器电路,其中之前授路径更含有一第二电感器及一电容器串联耦合于第一电感器之第一接头与一电源导体之间。6.如申请专利范围第4项之放大器电路,其中之前授路径更含有一电阻器耦合于增益设定电晶体之基极与集极间。7.一种低杂讯放大器,含有:一第一电晶体有一控制接头耦合以接收一输入信号及一第一电流接头耦合至通地电源导体;一第一电晶体有一控制接头耦合以接收一旁路信号,一第一电流接头耦合至第一电晶体之控制接头及一第二电流接头耦合至第一电晶体之第二电流接头;及一第三电晶体有一控制接头耦合至第二电晶体之控制接头,一第一电流接头耦合至第一电晶体之第二电流接头及一第二电流接头耦合至Vcc电源导体。8.如申请专利范围第7项之低杂讯放大器,更包括一第一电阻器耦合于第一电晶体之第二电流接头与第三电晶体之第一电流接头间及一第二电阻器耦合于第二电晶体之第一与第二电流接头间。9.如申请专利范围第7项之低杂讯放大器,更包括一电感器耦合于第一电晶体之第一电流接头与通地电源导体间。10.如申请专利范围第7项之低杂讯放大器,更包括一第一电容器耦合于第一电晶体之第二电流接头与第二电晶体之第二电流接头间。图式简单说明:图1为具旁路电路低杂讯放大器一实例之电路图;及图2为具旁路电路低杂讯放大器另一实例之电路图。