| 主权项 |
1.一种半导体积体电路之测试方法,其中,测试方法是利用具有比较判断电路之半导体测试装置,整合数个DA转换器以及基电压产生电路,比较阶段输出电压以及参考电压来判断阶段输出电压特性,其中藉由设定提供给基电压产生电路之基电源供应输入端子不同的电压,来决定测试目标的阶段准位区间;且将该电压从该半导体测试装置提供给该基电源供应输入端子;以及指定区间阶段准位之输入阶段资料讯号与阶段输出电压之间的相对关系,产生经由该半导体测试装置所执行阶段输出电压测试,来进行数位判断。2.如申请专利范围第1项之半导体积体电路的测试方法,其中根据从半导体测试装置提供给基电源供应输入端子的电压,该基电压产生电路增加或降低该半导体积体电路每个类比电压输出的相邻阶段输出电位差。3.如申请专利范围第1项之半导体积体电路的测试方法,其中藉由指定由该半导体测试装置提供,符合输入资料的电压设定,该DA转换器以及基电压产生电路选择性地测试类比电压输出的输出准位。4.如申请专利范围第1项之半导体积体电路的测试方法,其中处理符合半导体积体电路规格中,输出电压每个输出电压准位及其期望値以及输出电压期望値准位的设定,该比较判断的电压判断値准位,以及测试数目设定随时间的变化方式彼此之间的相互关系,结合位址及参数处理,以提供测试精度的可靠性。5.一种半导体积体电路的测试装置,其中,在判断测试装置中,透过比较判断电路,藉由比较该阶段输出电压以及参考电压以决定整合有数个DA转换器及基电压产生电路的半导体积体电路之阶段输出电压特性,其中,将不同的电压输出至基电源供应输入端子,阶段准位区间的一端是该半导体积体电路的测试目标,以及该区间另一端的基电源供应输入端子。6.如申请专利范围第5项之半导体积体电路的测试装置,其中该电压输出至两个以上的基电源供应输入端子,包含位于阶段准位区间一端的基电源供应输入端子,该阶段准位区间至少一侧是半导体积体电路测试目标。7.如申请专利范围第5项之半导体积体电路的测试装置,其中将未连接半导体测试装置的基电源供应输入端子,配置给作为半导体积体电路测试目标的阶段准位区间。8.如申请专利范围第5项之半导体积体电路的测试装置,其中处理两个以上,作为半导体积体电路测试目标的阶段准位区间。图式简单说明:图1.显示,使用习知具有高精度电压测量装置之液晶驱动器LSI测试装置进行判断的方块图,图2.显示,使用习知具有比较器之液晶驱动器LSI测试装置进行判断的方块图,图3.显示习知对基电源供应电压做输入设定时,阶段输出电压的波形,图4.显示日本专利案号2000-165244揭露之液晶驱动器的电路方块图,图5.显示习知基电源供应电压,图6.显示使用习知比较器做判断的流程图,图7A及7B显示本发明实施例之液晶驱动器LSI基电源供应电压,其输入设定的电路方块图,基电源供应器产生电路是珈玛校正阻抗式,图8.显示阶段输出电压波形图,图9A及图9B显示本发明其他实施例之液晶驱动器LSI基电源供应电压之输入设定的电路方块图,基电源供应器产生电路是珈玛校正阻抗式,图10A及10B显示本发明另一项实施例之液晶驱动器LSI基电源供应电压之输入设定的电路方块图,基电源供应器产生电路是珈玛校正阻抗式,以及图11显示本发明测试流程图。 |
