| 主权项 |
1.一种在中介层中设有重分布电路之晶片构造,包括:一中介层,在上表面及下表面处布设有一重分布电路,并在各该重分布电路上形成有多数个焊垫,且上下焊垫系呈电性通连;一第一介电层,系形成于该中介层上表面,其中,在该第一介电层中设有多数条贯穿于该第一介电层之第二导电路径,各该第二导电路径之一端系电性连接至该中介层上表面的焊垫,另一端则设有导电凸块,使可与晶粒呈电性连接;一第二介电层,系形成于该中介层下表面,其中,在该第二介电层中由该下表面的各该焊垫上凸设有多数个锡球,使各该锡球凸露出第二介电层外;及一晶粒,该晶粒具有多数个电性端子,系组设于该第一介电层上,使各该电性端子与导电凸块呈电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之晶片结构,其中,该中介层更包含有复数条第一导电路径,以使该上表面之焊垫与下表面对应之焊垫呈电性通连。3.一种在中介层中设有重分布电路之晶片结构之制作方法,系包括下列步骤:在该中介层之上表面形成一第一金属层,在下表面形成一第二金属层;由该第一金属层向下贯穿该中介层形成多数条可通抵下表面该第二金属层之第一导电路径,然后再界定出该第一金属层之重分布电路;在该第一金属层上形成一第一介电层,并由该第一介电层上方向下形成复数条可通抵该第一金属层之第二导电路径;界定出该第二金属层之重分布电路,然后在该第二金属层下形成一第二介电层;由该第二介电层界定出复数个可通抵该第二金属层之孔洞;在该第一金属层之各该第一导电路径上及第二金属层之孔洞中形成导电凸块;将晶粒组设在该第一介电层上;及在各该孔洞中组设锡球以连接该第二金属层。4.如申请专利范围第3项所述之在中介层中设有重分布电路之晶片结构之制作方法,其中,该第一及第二金属层系以铜构成。5.如申请专利范围第3项所述之在中介层中设有重分布电路之晶片结构之制作方法,其中,该第一导电路径系以下列步骤形成:对该第一金属层表面进行蚀刻(etch)制程;对该中介层以雷射钻孔(laser drill)及电浆钻孔(plasma drill)之至少一种进行钻孔;及由该第一金属层上方进行插塞制程。6.如申请专利范围第3项所述之在中介层中设有重分布电路之晶片结构之制作方法,其中,该第一金属层之重分布电路系以下列步骤形成:于该第一金属层及该第二金属层的表面上皆涂盖一层光阻;于该第一金属层的上方形成一光罩;进行曝光(exposure)及显影(development)制程以于涂盖于该第一金属层上之光阻上形成量分布电路图案;对该第一金属层进行蚀刻(etch)制程;及剥离第一金属层以及第二金属层上之光阻。7.如申请专利范围第3项所述之在中介层中设有重分布电路之晶片结构之制作方法,其中,该第二导电路径系以下列步骤形成:于该第二金属层涂盖一光阻及于该第一介电层的上方形成一光罩;进行曝光及显影制程;及进行电镀(electro-plating)制程及剥离(stripping)制程。8.如申请专利范围第3项所述之在中介层中设有重分布电路之晶片结构之制作方法,其中,该第二金属层之重分布电路系以下列步骤形成:于该第一介电层及该第二金属层上涂盖光阻,并在该第二金属层上形成一光罩;进行曝光及显影制程以于涂盖于该第二金属层上之光阻上形成电路图案;对该第二金属层进行蚀刻(etch)制程;及剥离第一介电层以及第二金属层上之光阻。9.如申请专利范围第3项所述之在中介层中设有重分布电路之晶片结构之制作方法,其中,该等第二金属孔洞系以下列步骤形成:于该第二介电层上方形成一光罩;及对该第二介电层进行曝光及蚀刻制程。10.如申请专利范围第3项所述之在中介层中设有重分布电路之晶片结构之制作方法,其中,该晶粒系使用热熔胶(TPI)以微波/超音波(Microwave/Ultrasonic)之方法组设在该第一介电层上。图式简单说明:第一A图至第一Z图系为本发明实施例之制程示意图;第二图系为本发明实施例之晶片结构剖面示意图;第三图系为本发明实施例布设于该中介层上表面重分布电路之示意图; |
