| 主权项 |
1.一种高压元件的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,其中该基底上包括已形成有一高压元件之闸极结构;进行一第一热制程;于该第一热制程之后,在该高压元件之闸极结构两侧之基底中形成一第一掺杂区;在该高压元件之闸极结构之侧边形成一间隙壁;在该高压元件之闸极结构上与该第一掺杂区之表面上形成一氧化层;进行一第二热制程;以及于该第二热制程之后,在该间隙壁两侧之基底中形成一第二掺杂区。2.如申请专利范围第1项所述之高压元件的制造方法,其中该第一掺杂区包括一轻掺杂汲极区。3.如申请专利范围第1项所述之高压元件的制造方法,其中形成该第一掺杂区之方法包括一倾斜离子植入法。4.如申请专利范围第3项所述之高压元件的制造方法,其中该倾斜离子植入法之离子植入能量系为100KeV,其掺杂之浓度系为51013/cm2,且其倾斜角度系为45度。5.如申请专利范围第1项所述之高压元件的制造方法,其中该第二掺杂区包括一源极/汲极区。6.如申请专利范围第1项所述之高压元件的制造方法,其中形成该第二掺杂区之方法包括一离子植入法。7.如申请专利范围第6项所述之高压元件的制造方法,其中该离子植入法之离子植入能量系为50KeV,且其掺杂浓度系为51015/cm2。8.如申请专利范围第1项所述之高压元件的制造方法,其中该第一热制程之温度系为摄氏1000度左右。9.如申请专利范围第8项所述之高压元件的制造方法,其中进行该第一热制程之时间系为30秒左右。10.如申请专利范围第1项所述之高压元件的制造方法,其中该第二热制程之温度系为摄氏1000度左右。11.如申请专利范围第10项所述之高压元件的制造方法,其中进行该第二热制程之时间系为30秒左右。12.一种高压元件的制造方法,包括下列步骤:提供一基底,该基底上已形成有一一般元件之闸极结构与一高压元件之闸极结构;于该一般元件之闸极结构两侧之基底中形成一第一轻掺杂汲极区;进行一第一热制程;于进行该第一热制程之后,在该高压元件之闸极结构两侧之基底中形成一第二轻掺杂汲极区;在该一般元件之闸极结构之侧边形成一第一间隙壁,并且在该高压元件之闸极结构之侧边形成一第二间隙壁;在该第一间隙壁两侧之基底中形成一第一源极/汲极区;进行一第二热制程;以及于进行该第二热制程之后,在该第二间隙壁两侧之基底中形成一第二源极/汲极区。13.如申请专利范围第12项所述之高压元件的制造方法,其中形成该第一掺杂区之方法包括一倾斜离子植入法。14.如申请专利范围第13项所述之高压元件的制造方法,其中该倾斜离子植入法之离子植入能量系为100KeV,其掺杂之浓度系为51013/cm2,且其倾斜角度系为45度。15.如申请专利范围第12项所述之高压元件的制造方法,其中形成该第二掺杂区之方法包括一离子植入法。16.如申请专利范围第15项所述之高压元件的制造方法,其中该离子植入法之离子植入能量系为50KeV,且其掺杂浓度系为51015/cm2。17.如申请专利范围第12项所述之高压元件的制造方法,其中该第一热制程之温度系为摄氏1000度左右。18.如申请专利范围第17项所述之高压件的制造方法,其中进行该第一热制程之时间系为30秒左右。19.如申请专利范围第12项所述之高压元件的制造方法,其中该第二热制程之温度系为摄氏1000度左右。20.如申请专利范围第19项所述之高压元件的制造方法,其中进行该第二热制程之时间系为30秒左右。图式简单说明:第1A至第1D图为习知一种高压元件之制造流程剖面示意图;以及第2A图至第2E图是依照本发明一较佳实施例之高压元件之制造流程剖面示意图。 |
