| 主权项 |
1.一种半导体装置,其特征为具备:半导体基板;以及被形成在上述半导体基板之一主面侧,以氧化钛为主构成材料之闸极绝缘膜;以及被接触形成于上述闸极绝缘膜,主构成材料为氧化钌或氧化铟之闸极电极膜。2.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中上述闸极绝缘膜以及上述导电性氧化膜系具有0.9nm以上之膜厚。3.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中上述氧化钛系金红石构造之结晶。4.一种半导体装置,其特征为具备:半导体基板;以及被形成在上述半导体基板之一主面侧,以氧化钛为主构成材料之闸极绝缘膜;以及被接触形成于上述闸极绝缘膜,令以氧化钌或氧化铟为主构成材料之导电性氧化膜与金属为主构成材料之导电性膜之积层膜之闸极电极膜。5.如申请专利范围第4项记载之半导体装置,其中上述闸极绝缘膜以及上述导电性氧化膜具有0.9nm以上之膜厚。6.如申请专利范围第4项记载之半导体装置,其中上述氧化钛为金红石构造之结晶。7.如申请专利范围第5项记载之半导体装置,其中上述金属为钌或铟。8.一种半导体装置,其特征为具备:半导体基板;以及被形成在上述半导体基板之一主面侧,以氧化钛为主构成材料之闸极绝缘膜;以及被接触形成于上述闸极绝缘膜,令以氧化钌或氧化铟为主构成材料之导电性氧化膜与金属为主构成材料之导电性膜之积层膜之闸极电极膜;以及被形成在上述半导体基板之一主面侧之第1电容电极;以及相接于上述第1电容电极而被形成之具有高介电常数或强电介质性之电容绝缘膜;以及相接于上述电容绝缘膜而被形成之第二电容电极。9.如申请专利范围第8项记载之半导体装置,其中绝缘膜以及上述导电性氧化膜系具有0.9nm以上之膜厚。10.如申请专利范围第8项记载之半导体装置,其中上述氧化钛为金红石构造之结晶。11.如申请专利范围第8项记载之半导体装置,其中上述金属为钌或铟。12.一种半导体装置,其特征为具备:半导体基板;以及具有被形成在上述半导体基板之一主面侧,以氧化钛以及钛化矽为主构成材料之第一闸极绝缘膜,以及以氧化钛为主构成材料之第二闸极绝缘膜之闸极绝缘膜;以及被接触形成于上述闸极绝缘膜,主构成材料为氧化钌或氧化铟之闸极电极膜。13.一种半导体装置,其特征为具备:半导体基板;以及具有被形成在上述半导体基板之一主面侧,以氧化钛以及钛化矽为主构成材料之第一闸极绝缘膜,以及以氧化钛为主构成材料之第二闸极绝缘膜之闸极绝缘膜;以及具有被接触形成于上述闸极绝缘膜,主构成材料为氧化钌或氧化铟之第一闸极电极膜,以及以钌、铟、白金、钨或钼之中的一种材料为主构成材料之第二闸极电极膜之闸极电极。14.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在半导体基板之一主面侧形成以氧化钛为主构成材料之闸极绝缘膜之工程;以及在上述闸极绝缘膜上形成以钌或铟为主构成材料之导电性膜,形成闸极电极膜之工程。15.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在半导体基板之一主面侧形成以氧化钛为主构成材料之闸极绝缘膜之工程;以及在上述闸极绝缘膜上形成以钌或铟为主构成材料之导电性膜,形成闸极电极膜之工程;以及形成第一电容电极之工程;以及形成相接于上述第一电容电极之具有高介电常数或强电介质性之电容绝缘膜之工程;以及形成相接于上述电容绝缘膜之第二电容电极之工程。图式简单说明:图1系本发明之第1实施形态之半导体装置的主要部之概略构成图。图2系显示本发明之第1实施形态中,厚度3nm之闸极电极的元素扩散于厚度3nm之金红石构造的氧化钛膜之际的300℃之扩散系数之直条图。图3系显示本发明之第1实施形态中,厚度3nm之闸极电极的元素扩散于厚度3nm之金红石构造的氧化钛膜之际的600℃之扩散系数之直条图。图4系显示本发明之第1实施形态中,厚度3nm之闸极电极的元素扩散于厚度3nm之锐钛矿(anatase)构造的氧化钛膜之际的300℃之扩散系数之直条图。图5系显示本发明之第1实施形态中,厚度3nm之闸极电极的元素扩散于厚度3nm之锐钛矿(anatase)构造的氧化钛膜之际的600℃之扩散系数之直条图。图6系显示本发明之第1实施形态中,厚度0.9nm之闸极电极的元素扩散于厚度0.9nm之金红石构造的氧化钛膜之际的300℃之扩散系数之直条图。图7系显示本发明之第1实施形态中,厚度0.9nm之闸极电极的元素扩散于厚度0.9nm之锐钛矿构造的氧化钛膜之际的300℃之扩散系数之直条图。图8系显示本发明之第1实施形态中,厚度0.8nm之闸极电极的元素扩散于厚度0.9nm之金红石构造的氧化钛膜之际的300℃之扩散系数之直条图。图9系显示本发明之第1实施形态中,厚度0.9nm之闸极电极的元素扩散于厚度0.8nm之金红石构造的氧化钛膜之际的300℃之扩散系数之直条图。图10系本发明之第2实施形态之半导体装置的主要部之概略构成图。图11系本发明之第3实施形态之半导体装置的主要部之概略构成图。图12系本发明之第4实施形态之半导体装置的主要部之概略构成图。 |
