降低浅沟渠隔离侧壁氧化层应力与侵蚀的方法

摘要

本发明利用氧(Oxygen)与氢氧根(Hydroxyl)进行一ISSG(In Situ Steam Generated)制程以 再氧化( Reoxidize)传统浅沟渠隔离侧壁氧化层及致密化沟槽中的氧化物。此ISSG制程可降低侧壁氧化层之应力与侵蚀的问题。因此主动区域的电性与主动区域之间的隔离品质可以确保。此ISSG制程可致密化沟槽中的氧化物以避免后续的清洗制程造成氧化物损失。

主权项

1.一种降低浅沟渠隔离侧壁氧化层应力与侵蚀的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一第一介电层于其上及一第二介电层覆盖该第一介电层;形成一沟渠进入该底材;形成一侧壁氧化层于该沟渠之侧壁与底部;填满该沟渠以一介电材料;及执行一ISSG制程以再氧化该侧壁氧化层,该ISSG制程至少包含引入氧与氢氧根。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第一介电层至少包含一二氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该第二介电层至少包含一氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该ISSG制程系于一快速热制程室中进行。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该ISSG制程于约700℃至约1200℃之间执行。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该侧壁氧化层系以一湿式氧化法形成。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该氧之流量为约1sccm至约30sccm。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之该氢气之流量为约0.1 sccm至约15sccm。9.一种降低浅沟渠隔离侧壁氧化层应力与侵蚀的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一第一介电层于其上及一第二介电层覆盖该第一介电层;形成一沟渠进入该底材;形成一侧壁氧化层于该沟渠之侧壁与底部;填满该沟渠以一介电材料;及执行一ISSG制程于约700℃至约1200℃之间以再氧化该侧壁氧化层,该ISSG制程至少包含引入氧与氢氧根。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该沟渠系以一反应性离子蚀刻法形成。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该ISSG制程系于一快速热制程室中进行。12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该氧之流量为约1 sccm至约30sccm。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中上述之该氢气之流量为约0.1sccm至约15sccm。14.一种降低浅沟渠隔离侧壁氧化层应力与侵蚀的方法,至少包含下列步骤:提供一底材,该底材具有一第一介电层于其上及一第二介电层覆盖该第一介电层;形成一沟渠进入该底材以一乾式蚀刻法;形成一侧壁氧化层于该沟渠之侧壁与底部;填满该沟渠以一介电材料;及执行一ISSG制程于约700℃至约1200℃之间且于一快速热制程室中以再氧化该侧壁氧化层,该ISSG制程至少包含引入氧与氢氧根。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之该乾式蚀刻法至少包含一反应性离子蚀刻法。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之该氧之流量为约1sccm至约30sccm。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之该氢气之流量为约0.1sccm至约15sccm。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之该快速热制程室至少包含一单晶圆制程室。图式简单说明:第一图显示一传统的浅沟渠隔离之剖面图;第二A图显示两介电层依序形成于一底材上;第二B图显示形成一沟渠进入第二A图中所示的结构与共形生成一介电层于其上并填满该沟渠的结果;及第三图显示一制程系统。