| 摘要 |
dispositivo de medida de dose para a implantação iônica em modo de imersão de plasma. a presente invenção refere-se a um dispositivo de medida de dose para a implantação iônica em modo de imersão de plasma, dispositivo que comporta um módulo de estimativa da corrente de implantação cur, um detector de elétrons secundários dse e um circuito de controle cc para estimar a corrente iônica por diferenciação da corrente de implantação e da corrente oriunda do detector de elétrons secundários. além disso, o detector dse de elétrons secundários energéticos comporta um coletor que suporta exclusivamente três eletrodos isolados uns dos outros: - um primeiro eletrodo de repulsa par empurrar as cargas a afastar de um sinal predetermindado, esse eletrodo sendo munido de pelo menos um orifício para permitir a passagem dos elétrons; - um segundo eletrodo de repulsa para empurrar as cargas a afastar do sinal oposto, esse elerodo sendo também munido de pelo menos um orifício para permitir a passagem dos elétrons; - um eletrodo de seleção, esse eletrodo sendo também munido de pelo menos um orifício para permitir a passagem dos elétrons. |
