| 主权项 |
1.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,该方法包括:提供一基底,且该基底已形成一闸极介电层、一埋入式位元线;于该基底上形成一字元线与该字元线上之一条状前置层;定义该条状前置层以形成复数个前置编码凸块;于该些前置编码凸块之间隙形成一介电层;于该介电层与该些前置编码凸块上形成具有复数个编码开口之一罩幕层,并于该些编码开口中暴露出该些前置编码凸块;完全去除该些编码开口所暴露之该些前置编码凸块,以形成复数个前置编码开口;去除该罩幕层;以及以该介电层为罩幕,进行一编码制程以于该基底中形成一编码掺杂区。2.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中完全去除该些编码开口所暴露之该些前置编码凸块的方法包括一湿式蚀刻法。3.如申请专利范围第2项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该湿式蚀刻法所使用的蚀刻液包括选自氢氟酸与缓冲氧化物蚀刻液所组之族群其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该前置编码凸块的材质包括氧化矽。5.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该介电层的材质包括选自氮化矽、氮氧化矽所组之族群其中之一。6.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中形成该字元线与该条状前置层的方法包括下列步骤:在该基底上形成一导体层;在该导体层上形成一前置层;以及定义该导体层与该前置层,以形成该字元线与该条状前置层。7.如申请专利范围第1项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中于该些前置编码凸块之间隙形成该介电层的方法包括下列步骤:于该基底上形成一沈积层以覆盖该基底;以及去除该沈积层至露出该些前置编码凸块为止,以形成该介电层。8.一种罩幕式唯读记忆体的制造方法,该方法包括:提供一基底,且该基底已形成一闸极介电层、一埋入式位元线;于该基底上形成一字元线与该字元线上之一条状前置层;于基底上形成复数个条状罩幕层;以该些条状罩幕层为罩幕,去除部分该条状前置层以形成复数个前置编码凸块;去除该些条状罩幕层;于该些前置编码凸块之间隙形成一介电层,其中该介电层的材质与该些前置编码凸块的材质具有高蚀刻选择比;于该介电层与该些前置编码凸块上形成具有复数个编码开口之一罩幕层,并于该些编码开口中暴露出该些前置编码凸块;完全去除该些编码开口所暴露之该些前置编码凸块,以形成复数个前置编码开口;去除该罩幕层;以及以该介电层与为罩幕,进行一编码制程以于该基底中形成一编码掺杂区。9.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中完全去除该些编码开口所暴露之该些前置编码凸块的方法包括一湿式蚀刻法。10.如申请专利范围第9项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该湿式蚀刻法所使用的蚀刻液包括选自氢氟酸与缓冲氧化物蚀刻液所组之族群其中之一。11.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该前置编码凸块的材质包括氧化矽。12.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该介电层的材质包括选自氮化矽、氮氧化矽所组之族群其中之一。13.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该些条状罩幕层的走向垂直于该条状前置层。14.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中该字元线与该条状前置层的形成方法包括下列步骤:在该基底上形成一导体层;在该导体层上形成一前置层;以及定义该导体层与该前置层,以形成该字元线与该条状前置层。15.如申请专利范围第8项所述之罩幕式唯读记忆体的制造方法,其中于该些前置编码凸块之间隙形成该介电层的方法包括下列步骤:于该基底上形成一沈积层以覆盖该基底;以及去除该沈积层至露出该些前置编码凸块为止,以形成该介电层。图式简单说明:第1A图至第1H图所绘示为依照本发明较佳实施例之罩幕式唯读记忆体之制程上视示意图;以及第2A图至第2H图所绘示为依照本发明较佳实施例之罩幕式唯读记忆体之制程剖面示意图。 |
