| 主权项 |
1.一种在层(15)(尤其是在微电子结构上的保护层)中以对准局部的方式产生开口所用之方法,其特征为:-在基板(1,5,7,9)(其上可具有多种结构)上涂布至少一由辅助材料(13)所构成之突出的辅助结构(11),其将基板(1,5,7,9)表面的一部份覆盖,-将此可开口的层(15)涂布在辅助结构(11)上,使其将基板(1,5,7,9)与辅助结构(11)之相连接之表面区域覆盖;以及-藉由平面式蚀刻,将层(15)的材料与位于该表面上的其他可能存在之材料(17)去除,一直到辅助结构(11)上之层(15)被开口且辅助材料(13)裸露为止。2.如申请专利范围第1项之方法,其中此突出的辅助结构(11)是岛形的突出部且须将层(15)的材料去除,使其围绕此裸露之辅助材料(13)而形成封闭式环绕的边缘。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在涂布了此可开口之层(15)后,涂布一种第二辅助材料(17)。4.如申请专利范围第1项之方法,其中此平面蚀刻至少一部份藉由化学机械式抛光(CMP:Chemical Mechanical Polish)而实施。5.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在辅助结构(11)之裸露之辅助材料(13)中蚀刻成凹口(19)。6.如申请专利范围第5项之方法,其中在此一直到达一种导电材料的凹口(19)中,置入导电材料。7.如申请专利范围第1项之方法,其中此基板(1,5,7,9)具有微电子结构(5,7,9),此结构具有电容器,其电介质(7)具有铁电性或顺电性材料,且此可开口之层(15)形成一种阻障,以防止物质侵入微电子结构(5,7,9)中。8.如申请专利范围第7项之方法,其中此电介质(7)对于氢的流入是敏感的,且此可开口的层(15)是一种阻障以防止氢入侵至电介质(7)。9.如申请专利范围第1或2项之方法,其中此可开口之层由导电材料所构成,其中在辅助材料裸露后,将一种电性绝缘材料涂布在此可开口之层之存留的材料上。图式简单说明:第1图显示基板,其具有两个突出之岛形辅助结构,其中此基板与辅助结构的表面,以一个可开口的层覆盖。第2图显示根据第1图之结构,其在涂布第二辅助材料后,形成在基本上平坦之表面。第3图显示根据第2图之结构,此为在经由平面蚀刻而在此可开口层中产生开口之后者。第4图显示根据第3图之结构,此为在微电子结构之用于电性接触之洞孔产生之后者。 |
