| 主权项 |
1.一种制造储氢材料之方法,其包含步骤:提供一储氢粉末;及以经控制之氧化反应氧化该储氢粉末。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该氧化步骤包含在经控制之氧化反应期间搅动该储氢粉末。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧化步骤系由氧化氛围提供。4.如申请专利范围第2项之方法,其中在该氧化步骤之前,该方法进一步包含将钝态材料加至储氢粉末。5.如申请专利范围第2项之方法,其中该储氢粉末系为具有至少一选自包含V、Ti、Zr、Ni、Cr及Mn之族群中元素之AB2储氢材料。6.如申请专利范围第2项之方法,其中搅动储氢粉末系包含使粉末翻腾以便在该储氢粉末之每一颗粒上提供耐自燃的表面层。7.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧化步骤系在储氢粉末的至少一颗粒上提供本质上均匀之氧化物表面层。8.如申请专利范围第2项之方法,其中该储氢粉末系为电化学储氢材料。9.如申请专利范围第2项之方法,其中该储氢粉末系为气相储氢材料。10.如申请专利范围第3项之方法,其中该氧化氛围包含至少一氧化气体及至少一非氧化气体。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该氧化气体系为一选自包含CO2.CO、O2及N2O之气体。12.如申请专利范围第3项之方法,其中该氧化氛围包含大于10重量%之非氧化剂及介于0.5%及小于90重量%之氧化剂。13.如申请专利范围第4项之方法,其中该钝态材料包含至少一选自包含Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Ta及W之族群中之元素。14.如申请专利范围第4项之方法,其中该钝态材料为疏水有机化合物。15.如申请专利范围第4项之方法,其中该钝态材料为具有至少一选自包含Nb、Mo、Ta及W之族群中元素之层硫化物。16.如申请专利范围第2项之方法,其中该储氢材料包含至少一牺牲改性剂。17.如申请专利范围第16项之方法,其中该牺牲改性剂包含至少一选自包含Co、Al、Fe、Li、K、Na、Sc、Y及Mg之族群中之元素。18.一种制造储氢负电极材料之方法,其包含步骤:提供整块储氢材料;使该整块储氢材料氢化;及以经控制之氧化反应氧化该储氢粉末。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该氧化步骤包含在经控制之氧化反应期间搅动该储氢粉末。20.如申请专利范围第19项之方法,其中搅动储氢粉末系包含使粉末翻腾以便在该储氢粉末之每一颗粒上提供耐自燃的表面层。21.如申请专利范围第19项之方法,其中在该氧化步骤之前,该方法进一步包含将钝态材料加至储氢粉末。22.如申请专利范围第19项之方法,其中该储氢粉末系为具有至少一选自包含V、Ti、Zr、Ni、Cr及Mn之族群中元素之储氢合金。23.如申请专利范围第19项之方法,其中该氧化步骤系在储氢粉末的至少一颗粒上形成本质上均匀之氧化物层。24.如申请专利范围第19项之方法,其中该氧化氛围包含至少一氧化气体及至少一非氧化气体之混合物。25.如申请专利范围第19项之方法,其中该氧化氛围包含大于10重量%之非氧化剂及介于0.5%及小于90重量%之氧化剂。26.如申请专利范围第21项之方法,其中该钝态材料包含至少一选自包含Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo、Ta及W之族群中之元素。27.如申请专利范围第21项之方法,其中该钝态材料为疏水有机化合物。28.如申请专利范围第21项之方法,其中该钝态材料为具有至少一选自包含Nb、Mo、Ta及W之族群中元素之层硫化物。29.如申请专利范围第19项之方法,其中该储氢材料包含至少一牺牲改性剂。30.如申请专利范围第30项之方法,其中该牺牲改性剂包含至少一选自包含Co、Al、Fe、Li、K、Na、Sc、Y及Mg之族群中之元素。31.如申请专利范围第19项之方法,其中该氢化步骤不需机械粉碎而提供具有平均粒径为100微米或更小之储氢粉末。图式简单说明:图1系为本案用以提供经控制之氧化反应用之旋转式氢反应器之示意图;图2为静态氢反应器之示意图;图3为本案用以制造氢反应器之方法之流程图;图4系为对照组样品之初电极活化作用与具有本案所制备之储氢材料之电极的比较图;及图5系为对照组样品之初电极活化作用与具有本案所制备之储氢材料之电极的比较图。 |
