| 主权项 |
1.一种晶体中杂质浓度的侦测方法,其特征为:侦测出配置于炉内部之熔融液体之液面上方气相的温度,并取得由该熔融液体所形成之晶体中的杂质浓度。2.如申请专利范围第1项之晶体中杂质浓度的侦测方法,其中,该晶体为单晶半导体,而该杂质为氧。3.如申请专利范围第1项之晶体中杂质浓度的侦测方法,其中,该晶体为单晶半导体;且其中,该杂质为控制单晶半导体之电阻的掺杂物。4.一种制造单晶之方法,其中,当单晶生长时,从炉中坩埚内之熔融液体中拉引单晶,该制造单晶之方法包含步骤:侦测自熔融液体蒸发过程中的杂质;及根据蒸发过程之杂质来改变以下至少一项,即加热器之加热値、坩埚之转数、单晶之转数、H/Z结构或炉之内部压力。5.一种制造单晶之方法,其中,当单晶生长时,从施加磁场之炉中坩埚内之熔融液体中拉引单晶,该制造单晶之方法包含步骤:侦测自熔融液体蒸发过程中的杂质;及根据蒸发中之杂质来改变以下至少一项,即加热器之加热値、坩埚之转数、单晶之转数、H/Z结构、炉之内部压力或磁场之图案或强度。6.如申请专利范围第4或5项之制造单晶之方法,其中,该杂质之蒸发状态的侦测系在于取得该杂质的蒸发量,该熔融液体之液面上方气相的温度,或者该炉之内部压力的至少任何一种。7.如申请专利范围第4或5项之制造单晶之方法,其中,该单晶为单晶半导体;且该杂质为氧。8.如申请专利范围第4或5项之制造单晶之方法,其中,该单晶为单晶半导体;且杂质为控制单晶半导体之电阻的掺杂物。9.一种拉引单晶之装置,其中,当单晶生长时,从炉中坩埚内之熔融液体中拉引单晶,该拉引单晶之装置包含:一阀,控制该炉之内部压力;一加热器,加热该熔融液体;一驱动马达,转动该坩埚;一拉引单元,转动晶体时拉引该晶体;一蒸发侦测器,其位于炉内并侦测以下至少一项,即来自坩埚之杂质的蒸发量、熔融液体之液面上方气相的温度或该炉之内部压力;及一控制器,根据蒸发侦测器之侦测讯号变换以下至少一项,即阀之开启角、加热器之加热値、驱动马达之转速、拉引单元之转速或拉引速度。10.一种拉引单晶之装置,其中,当单晶生长时,从施加磁场之炉中坩埚内之熔融液体中拉引单晶,该拉引单晶之装置包含:一阀,控制该炉之内部压力;一加热器,加热该熔融液体;一驱动单元,垂直上下地移动坩埚且转动坩埚;一拉引单元,转动晶体时拉引该晶体;一磁场产生器,施加磁场至该熔融液体;一蒸发侦测器,位于炉内,并侦测以下至少一项,即来自坩埚之杂质的蒸发量、熔融液体之液面上方气相的温度或该炉之内部压力;及一控制器,根据蒸发侦测器之侦测讯号控制以下至少一项,即阀之开启角、加热器之加热値、驱动马达之转速、拉引单元之转速或拉引速度,或磁场产生器产生磁场之图案或强度。图式简单说明:图1为和本发明第一实施例有关之单晶的拉引装置之说明图;图2为显示坩埚转速与单矽晶体中之氧浓度间关系的图形;图3为炉内压力与单矽晶体中之氧浓度间关系的说明图;图4为显示当锑被添加入熔融矽液中时,熔融液体上部之大气中温度变化的图形;图5为在MCZ法中,藉改变磁场图案而对单矽晶体中之氧浓度的控制方法之说明图;图6为锑显示当添加入熔融矽液时炉内之压力改变的图形;图7为和本发明第二实施例有关之单晶的拉引装置之说明图;图8为和本发明第五实施例有关之单晶的拉引装置之主要部分的说明图;及图9为和一实施例有关之用于单晶的连续拉引装置之说明图。 |
