| 主权项 |
1.一种以MCZ法制造单晶矽的装置,包括:一可旋转坩埚,用来容置矽熔融物;一加热器,环绕于该坩埚之外部周边配置,该加热器具有多个发热部分、用来接受一直流电的两个主电极部分、以及两个或更多的辅助电极部分;两个或更多的加热器支承构件,具有一种绝缘性质,并且经由该辅助电极部分支承该加热器;以及一磁铁,用来将一水平磁场施加至包含于该坩埚中之矽熔融物,其中呈现于一加热器支承构件与一电极之间,或者呈现于彼此相邻的加热器支承构件之间的发热部分之数目等于或小于4。2.根据申请专利范围第1项之制造单晶矽的装置,其中该加热器的每一发热部分具有25mm或更大的厚度。3.一种以MCZ法制造单晶矽的装置,包括:一可旋转坩埚,用来容置矽熔融物;一加热器,环绕于该坩埚之外部周边配置,该加热器具有多个发热部分、用来接受一直流电的两个主电极部分、以及两个或更多的辅助电极部分;两个或更多的加热器支承构件,具有一种绝缘性质,并且经由该辅助电极部分支承该加热器;以及一磁铁,用来将一水平磁场施加至包含于该坩埚中之矽熔融物,其中该加热器的每一发热部分具有25mm或更大的厚度。4.根据申请专利范围第3项之制造单晶矽的装置,其中呈现于一加热器支承构件与一电极之间,或者呈现于彼此相邻的加热器支承构件之间的发热部分之数目等于或小于4。5.一种以MCZ法制造单晶矽的装置,包括:一可旋转坩埚,用来容置矽熔融物;一加热器,环绕于该坩埚之外部周边配置,该加热器具有多个发热部分、用来接受一直流电的两个主电极部分、以及两个或更多的辅助电极部分;两个或更多的加热器支承构件,具有一种绝缘性质,并且经由该辅助电极部分支承该加热器;以及一磁铁,用来将一水平磁场施加至包含于该坩埚中之矽熔融物,其中呈现于一加热器支承构件与一电极之间,以及呈现于彼此相邻的加热器支承构件之间的发热部分之数目等于或小于4,同时该加热器的每一发热部分具有25mm或更大的厚度。图式简单说明:图1为本发明之一单晶矽制造装置的一范例之一示意剖面图;图2A与2B分别为一侧视图与一平面图,显示可用于本发明之一单晶矽制造装置中之一加热器的范例;图3A与3B分别为一侧视图与一平面图,显示可用于该单晶矽制造装置中之一加热器的另一范例;图4为一剖面图,显示本发明之一加热器经由辅助电极部分藉着加热器支承构件加以支承;以及图5A与5B分别为一侧视图与一平面图,显示用于习知单晶矽制造装置中之一加热器的范例。 |
