发明名称 | 静态随机存储器的制造方法 | ||
摘要 | 一种静态随机存储器的制造方法。此方法定义一已形成有栅氧化层与第一导体层的基底,以形成埋入式接触窗开口。然后于基底上形成一第二导体层,随后于埋入式接触窗开口对应的基底中形成一埋入式接触窗。接着于基底上形成一层保护层并填满凹陷。之后,去除部分保护层,再于基底上形成一图案化光阻层。然后以此图案化光阻层作为罩幕,蚀刻形成一栅极与一内联机。再去除此图案化光阻层。最后,可以去除保护层或保留此保护层,再进行植入步骤,以形成源/漏极,使其与埋入式接触窗相连。 | ||
申请公布号 | CN1420550A | 申请公布日期 | 2003.05.28 |
申请号 | CN02141153.0 | 申请日期 | 2002.07.08 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 任柏翰 |
分类号 | H01L21/8244;H01L27/11 | 主分类号 | H01L21/8244 |
代理机构 | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人 | 王学强 |
主权项 | 1、一种静态随机存储器的制造方法,其特征在于:包括:提供一基底;于该基底上依序形成一栅氧化层与一第一导体层;定义该第一导体层与该栅氧化层,以形成一埋入式接触窗开口,该埋入式接触窗开口暴露出该基底;于该基底上形成一第二导体层并覆盖该埋入式接触窗开口,使该第二导体层于该埋入式接触窗开口处具一凹陷;于该埋入式接触窗开口所对应的该基底中形成一埋入式接触窗;于该凹陷内形成一保护层;于该基底上形成一图案化光阻层,该图案化光阻层具有一开口,该开口暴露出部分该第二导体层;以该图案化光阻层与该保护层作为罩幕,蚀刻去除该开口所暴露出的部分该第二导体层,并持续蚀刻去除其下层的该第一导体层,以形成一栅极与一内联机;去除该图案化光阻层;进行一植入制作工艺,以于该基底内形成一源/漏极。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号 |