发明名称 低矽熔铁之制造方法
摘要 本发明之低矽熔铁之制造方法系藉由将微粉碳依150kg/t-熔铁以上进行吹入,且将高炉熔渣的MgO控制在5.5~8.5%,俾将熔铁Si控制在0.3%以下。最好将从高炉中所排放出熔铁的温度控制在1480℃以上。最好将熔渣比控制在熔铁平均每吨中至少270kg以上。
申请公布号 TW200302284 申请公布日期 2003.08.01
申请号 TW092101454 申请日期 2003.01.23
申请人 钢管股份有限公司 发明人 松元真二;早祥和
分类号 C21B5/00 主分类号 C21B5/00
代理机构 代理人 赖经臣;宿希成
主权项
地址 日本