| 主权项 |
1.一种具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,适用在具有一第一导线之一基底上,该制造方法至少包括:在该第一导线上形成一介电层;在该介电层中形成一介层窗开口,暴露出该第一导线,以及在一预定位置形成一间隙;在该介电层上形成一介电材料;在该介电材料与该介电层中形成一沟渠,使该第一导线暴露出;以及在该沟渠与该介层窗开口中填入导电材料而形成一第二导线与一介层窗。2.如申请专利范围第1项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中在该介电层中更包括一终止层。3.如申请专利范围第2项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该介电材料覆盖在该介电层上,且有部分填入该介层窗开口与该间隙中,但不得填满该间隙。4.如申请专利范围第2项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该沟渠系以光阻定义该介电材料与该介电层,之后以该终止层为蚀刻终点,蚀刻该介电材料与该介电层而形成。5.如申请专利范围第1项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该预定位置系位于该第一导线与该第二导线之间的该介电层中。6.如申请专利范围第1项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该介电材料包括一氧化物层。7.如申请专利范围第1项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该介电材料包括以一电浆化学气相沉积法形成。8.一种具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,适用在具有一第一金属层之一基底上;该制造方法至少包括:在该第一金属层上依序形成一第一介电层、一终止层以及一第二介电层;定义该第一与第二介电层,形成一介层窗开口暴露出该第一金属层,以及在一预定位置形成一开口;在该第二介电层上形成一氧化物层覆盖该开口而形成一间隙;定义该氧化物层与该第二介电层形成一沟渠,使该第一金属层暴露出;以及在该沟渠与该介层窗开口中形成一第二金属层与一介层窗,其中该第一金属层与该第二金属层以该介层窗电性连接。9.如申请专利范围第8项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该氧化物层包括以电浆化学气相沉积法形成。10.如申请专利范围第8项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该沟渠系以光阻定义该氧化物层与该第二介电层,之后以该终止层为蚀刻终点,蚀刻该氧化物层与该第二介电层而形成。11.如申请专利范围第10项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中蚀刻该氧化物层更包括去除该介层窗开口的该氧化物层。12.如申请专利范围第8项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该预定位置系位于该第一金属层与该第二金属层之间的该第一、第二介电层中。13.如申请专利范围第8项所述之具有空气-间隙的双重嵌金的制造方法,其中该预定位置不与该第一金属层与该第二金属层重叠。图式简单说明:第1图系显示根据本发明较佳实施例之具有空气-间隙双重嵌金之布局示意图;以及第2A-2G图系显示根据第1图线I-I切面之制造流程剖面图。 |
