| 主权项 |
1.一种氧化钽电容器之制造方法,包括:使下电极上面进行氮化而形成氮化膜的步骤;在该氮化膜上面采用原子层薄膜沉积法(ALD),而蒸镀上氮化钽薄膜的步骤;利用使该氮化钽薄膜进行氧化而形成氧化钽薄膜的步骤;以及在该氧化钽薄膜上面形成上电极的步骤。2.如申请专利范围第1项之氧化钽电容器之制造方法,其中当下电极系由多晶矽所构成的情况时,该氮化膜的形成步骤系采用电浆并在200-600℃温度中,于NH3.N2/H2.N2O中之任何环境下,使下电极表面产生氮化。3.如申请专利范围第1项之氧化钽电容器之制造方法,其中当下电极系由金属所构成的情况时,该氮化膜的形成步骤系采用电浆并在200-450℃温度中,于NH3.N2/H2.N2O中之任何环境下,使下电极表面产生氮化。4.如申请专利范围第1项之氧化钽电容器之制造方法,其中蒸镀该氮化钽薄膜的步骤系添加氢氟化钽(TaH2F7)脉冲而形成钽原子层,然后将其利用氮(N2)或氩(Ar)进行迫净之后,再添加氨气(NH3)脉冲而形成氮原子层。5.如申请专利范围第4项之氧化钽电容器之制造方法,其中该氢氟化钽化合物之化学蒸镀系将该化合物利用流量调整器施行定量并供应给蒸发机或蒸发管之后,使一定量在150-200℃温度下进行蒸发而形成。6.如申请专利范围第1项之氧化钽电容器之制造方法,其中当下电极系由多晶矽所构成的情况时,该氧化步骤系在200-600℃温度下,采用电浆并添加氧而施行。7.如申请专利范围第6项之氧化钽电容器之制造方法,其中该氧化步骤系在低压化学气状蒸镀腔内,利用原地处理(in-situ)步骤而施行。8.如申请专利范围第1项之氧化钽电容器之制造方法,其中当下电极系由金属所构成的情况时,该氧化步骤系在200-600℃温度下,采用电浆并添加氧而施行。9.如申请专利范围第8项之氧化钽电容器之制造方法,其中该氧化步骤系在低压化学气状蒸镀腔内,利用原地处理步骤而施行。10.如申请专利范围第1项之氧化钽电容器之制造方法,其中该上电极系由:多晶矽(poly Si)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、钨(W)、氮化钨(WN)、矽化钨(WSi)、铑(Ru)、氧化铑(RuO2)、铱(Ir)、氧化铱(IrO2)、白金(Pt)所构成的组群中,所选择出的任何物质或层积构造所蒸镀而形成的。图式简单说明:第1图系本发明的氧化钽电容器之制造方法中,形成下电极的状态图。第2图系本发明的氧化钽电容器之制造方法中,在下电极上面形成氮化膜的状态图。第3图系本发明的氧化钽电容器之制造方法中,在氮化膜上面采用原子层薄膜沉积法,蒸镀上氮化钽薄膜的状态图。第4图系本发明的氧化钽电容器之制造方法中,使氮化钽薄膜产生氧化而形成氧化钽薄膜的状态图。第5图系本发明的氧化钽电容器之制造方法中,在氧化钽薄膜上面形成上电极而完成氧化钽电容器。 |
