发明名称 Method of forming a voltage detection device and structure therefor
摘要 A voltage detection device (10, 30) utilizes grounded gate J-FET transistors (16,17,18) to detect desired input voltage values. The grounded gate J-FET transistors (16,17,18) function in different modes as the input voltage varies to facilitate detecting the desired input voltage values.
申请公布号 US6605978(B1) 申请公布日期 2003.08.12
申请号 US20020254274 申请日期 2002.09.25
申请人 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES LLC 发明人 HALAMIK JOSEF;SUKUP FRANTISEK
分类号 G01R19/00;(IPC1-7):H03K17/687 主分类号 G01R19/00
代理机构 代理人
主权项
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