| 摘要 |
一种用以生产CMOS装置的方法，包含：磊晶形成一应变SiGe层在矽基板上，该应变SiGe层具有一锗含量；在该应变SiGe层上磊晶形成一矽盖层；在该矽盖层上，成长一闸氧化层；沉积一第一多晶矽层在该闸氧化层上；布植H^+离子至应变SiGe层及矽基板之界面下一深度；藉由浅沟渠绝缘(STI)形成一沟渠，该沟渠延伸进入该矽基板；回火所取得之结构，以放松该应变SiGe层；沉积一氧化物层及一第二多晶矽层在该结构上，藉以填充该沟渠；在上述步骤后，平坦化所得之结构至该位于该沟渠中之第二多晶矽层的部份的位准顶部。 |
