选择性金属氧化物之移除

摘要

当作闸极介电质(22)用的金属氧化物(16)，是使用结合了气相HC1(HC1)，加热以及在缺少rf(无线电波)下被去除掉。不在闸极(18)下之区域中最好是铪氧化物的金属氧化物(16)被有效的去除掉。使用HC1会造成未去除掉之金属氧化物(16)底下的界面氧化物(14)。移开界面氧化物(14)而去除掉金属，并用另一界面氧化物层(27)取代。后续的离子布植步骤只经由界面氧化物层(27)而不经由金属氧化物(16)。所以，避免掉与经由金属氧化物(16)有关的离子布植问题。

主权项

1.一种形成一半导体装置之方法,包括:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一金属氧化物层;在该金属氧化物层的第一部分上,形成定义出一图案的闸极;以及将该半导体基底加热,并将含卤化物的化学物质流过被加热的基底上,来去除掉该金属氧化物层的第二部分,其中该金属氧化物层的第二部分是相邻到该金属氧化物层的第一部分。2.如申请专利范围中第1项之方法,其中该含卤化物的化学物质是HC1。3.如申请专利范围中第1项之方法,其中使用包含有氢与氟的化学物质来进行去除掉至少一部分的第一界面氧化物层。4.一种去除掉一半导体基底上一金属氧化物层之方法,包括:将该半导体基底安置到一反应室内;加热该金属氧化物层;在加热时将含氯化学物质流过,其中该含氯化学物质会与一部分的金属氧化物层反应产生副产物,其中该副产物包括从该金属氧化物层而来的元素;以及从该反应室中去除掉该副产物。5.一种形成一半导体装置之方法,包括:提供一半导体基底;在该包括铪与氧的半导体基底上形成一金属氧化物层;使用辐射加热该半导体基底,并让包含氢与氯的化学物质流过,来去除掉该金属氧化物层的一部分。6.如申请专利范围第5项之方法,其中加热该半导体基底是在约摄氏625度至摄氏675度之间。7.一种形成一金属氧化物层之方法,包括:提供一半导体基底;在该半导体基底上形成一金属氧化物层;将该半导体基底加热,并将气态卤化物流过,来去除掉该金属氧化物层的一部分。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该气态卤化物包括氢。9.一种从一半导体基底上选择性去除掉金属氧化物层方法,其中该金属氧化物层具有曝露的部分以及在闸极底下的部分,在没有rf的激发下包括让气态HC1流过该基底上的步骤,其中基底被加热到摄氏600至800度。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该基底是被加热到摄氏625至675度之间。图式简单说明:图1-7是依据本发明较佳实施例部分半导体晶圆的依序剖示图;以及图8显示的是进行达成图1-7剖示图所使用到之一部分方法时会很有用的设备。