| 主权项 |
1.一种于自旋乾燥操作中用以监控半导体晶圆之方法,包括:于一半导体晶圆旋转期间,测量介于一电容感应器与该半导体晶圆之间的电容値;测定该测量电容値何时达到所需水准;以及产生一个信号表示该半导体晶圆表面已到达所需要状态。2.如申请专利范围第1项之于自旋乾燥操作中用以监控半导体晶圆之方法,其中根据该信号停止旋转该半导体晶圆。3.一种用以自旋乾燥一半导体晶圆之方法,包括:旋转一半导体晶圆以乾燥其表面;于该半导体晶圆旋转时,测量介于一电容感应器与该半导体晶圆之间的电容値;测定该测得电容値何时达到实质上恒定水准;产生一信号;以及根据该信号停止旋转该半导体晶圆。4.一种于自旋处理操作中用以监控一半导体晶圆之方法,包括:于一半导体晶圆旋转时,将光导向该半导体晶圆表面,导引该光,使得自该晶圆表面反射的光实质上与该晶圆表面垂直;测量自该晶圆表面反射的光强度;以及当自该晶圆表面反射之光的测得强度达到相当于该表面呈所需要状态之自晶圆表面反射强度的强度水准时,产生一个信号,表示该晶圆表面呈所需要状态。5.如申请专利范围第4项之于自旋处理操作中用以监控一半导体晶圆之方法,其中根据该信号停止旋转该半导体晶圆。6.如申请专利范围第4项之于自旋处理操作中用以监控一半导体晶圆之方法,其中以校准操作决定该表面达到所需要状态时自该半导体晶圆表面反射之光的测得强度。7.一种用以自旋乾燥一半导体晶圆之方法,包括:旋转一半导体晶圆以乾燥其表面;当该半导体晶圆旋转时,将光导向一半导体晶圆表面,使得自该半导体晶圆表面反射光实质上与该半导体晶圆表面垂直;测量自该半导体晶圆表面反射的光强度;当自该晶圆表面反射之光的测得强度达到相当于该表面乾燥时之自晶圆表面反射强度的强度水准时,产生一个信号,表示该晶圆表面已乾燥;以及根据该信号停止旋转该半导体晶圆。8.如申请专利范围第7项之用以自旋乾燥一半导体晶圆之方法,其中以校准操作决定当该半导体晶圆表面乾燥时自该表面反射之光的测得强度。9.一种用以自旋处理一半导体晶圆之设备,包括:一空心管状心轴,其有一中央开口贯穿其中;一夹盘组合体,其安装于该心轴上,该夹盘组合体有一中央开口贯穿其中,而且包括用以支撑晶圆边缘的夹头;一套管,其配置于该空心管状心轴的中央开口,该套管的配置方式使其上端经由该夹盘组合体中央开口伸出;一歧管,其配置在该套管上端;以及一电容感应器附装于该歧管,该电容感应器系用以测量介于该晶圆与该电容感应器间之电容値。10.如申请专利范围第9项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,更包括:一处理器,其用以测定该电容感应器所测得的电容値何时达到所需要水准。11.一种用以自旋处理一半导体晶圆之设备,包括:一心轴;一夹盘组合体,其安装于该心轴上;该夹盘组合体包括用以支撑晶圆边缘的夹头;以及一机械手臂,其安装有电容感应器,定位该机械手臂,使该电容感应器位于该夹头支撑之晶圆所占据的空间上方,而且该电容感应器系用以测量介于该夹头所支撑之晶圆与该电容感应器之间的电容値。12.如申请专利范围第11项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,更包括:一处理器,其用以测定该电容感应器所测得的电容値何时达到所需要水准。13.如申请专利范围第11项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,其中该机械手臂可移动,如此可以改变该电容感应器相对于该夹头支撑之半导体晶圆所占据的空间的相对位置。14.如申请专利范围第11项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,其中该机械手臂安装有数个电容感应器,每个电容感应器系位于由夹头所支撑之半导体晶圆占据的空间上方,而且每个电容感应器系用以测量介于该夹头所支撑的半导体晶圆与该电容感应器之间的电容値。15.如申请专利范围第14项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,更包括:一处理器,其用以测定该电容感应器所测得的电容値何时达到所需要水准。16.如申请专利范围第14项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,其中该机械手臂可移动,如此可以改变该电容感应器相对于该夹头支撑之半导体晶圆所占据的空间的相对位置。17.一种用以自旋处理一半导体晶圆之设备,包括:一心轴;一夹盘组合体,其安装于该心轴上;该夹盘组合体包括用以支撑晶圆边缘的夹头;以及一机械手臂,其安装有光源与侦测器,定位该光源,使光导向由该夹头所支撑之半导体晶圆表面,使自该半导体晶圆表面反射的光实质上与该半导体晶圆表面垂直,并定位该侦测器,以测量自该半导体晶圆表面反射之光强度。18.如申请专利范围第17项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,更包括:一处理器,测定自该半导体晶圆表面反射之光的测得强度何时达到相当于该表面呈所需要状态时自该半导体晶圆表面反射之光的测得强度。19.如申请专利范围第17项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,其中该机械手臂系为可移动,以变化该光源及该侦测器相对该半导体晶圆表面之位置。20.如申请专利范围第17项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,其中该机械手臂安装有数个光源以及对应数量之侦测器,定位每个光源,将光导向由该夹头所支撑之半导体晶圆表面,使自半导体晶圆表面反射的光实质上与该半导体晶圆表面垂直,并定位每个侦测器以测量相对应光源自该半导体晶圆表面反射之光强度。21.如申请专利范围第20项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,更包括:一处理器,测定自该半导体晶圆表面反射之光的测得强度何时达到相当于该表面呈所需要状态时自该半导体晶圆表面反射之光的测得强度。22.如申请专利范围第21项之用以自旋处理一半导体晶圆之设备,其中该机械手臂系为可移动,以变化各该光源及各该侦测器相对该半导体晶圆表面之位置。图式简单说明:图1系一侧视图,其显示本发明一实施例中包括电容感应器的范例夹盘组合体与空心管状心轴中某些组件的横剖面,以及其他组件的透视图。图2系一图1所示歧管的简化俯视平面图。图3系一简化略图,其显示根据本发明一实施例可于自旋乾燥操作中监控半导体晶圆之范例方式。图4A系一范例自旋乾燥操作之电容値对时间图。图4B系一表格,其列出图4A所示之阶段A、B与C期间的流体膜之状态。图5A系一侧视图,其显示本发明一实施例中安装有一个电容感应器之机械手臂位于范例夹盘组合体上方之某些组件的横剖面,以及其他组件的透视图。图5B系本发明一实施例中安装有一个电容感应器之机械手臂与定位装置耦合的简化俯视图。图6A系一侧视图,其显示本发明一实施例中安装有数个电容感应器之机械手臂位于范例夹盘组合体上方之某些组件的横剖面,以及其他组件的透视图。图6B系本发明一实施例中一个安装有数个电容感应器之机械手臂与定位装置耦合的简化俯视图。图7系本发明一实施例中安装有干扰感应器之机械手臂的简化略图。 |
