位元线电容可最大化之铁电记忆体

摘要

在一铁电记忆体中，系设置有数条字线、数条与该等字线相交越的位元线、数个具有被配置于该等字线与位元线相交之位置之铁电电容器的记忆体细胞及数个可与该等位元线连接的校正电容器。该数个校正电容器中之至少一部份系与一位元线连接俾可能够增加位元线电容预定的量。