发明名称 加热炉与半导体基板装载治具之组合及半导体装置之制造方法
摘要 一种加热炉与半导体基板装载治具之组合,其为由耐火断热材料所构成之炉体及含有配置于炉体之内侧面之加热体所构成直立炉或横置炉,以及在其反应管之均热区内可将一片式二片之半导体基板以其面与炉之长轴方向一致,且可自由前进后退之方式装载之基板装载治具所构成之组合。此组合之特征为加热体与半导体基板之面成实质上平行者。依照本发明之加热炉与半导与基板装载治具之组合进行RTP的话,加热炉之床占有面积(footprint)可变小。
申请公布号 TW554419 申请公布日期 2003.09.21
申请号 TW091116349 申请日期 2002.07.23
申请人 F T L 股份有限公司;崇越科技股份有限公司 台北市大安区信义区四段二三六号十一楼 发明人 高木干夫
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种加热炉与半导体基板装载治具之组合,其为由耐火、断热材料所构成之炉体及含有配置于炉体之内侧面之加热体所构成之直立炉或横置炉,以及在其反应管之均热区内可将一片式二片之半导体基板以其面与炉之长轴方向一致,且可自由前进后退之方式装载之基板装载治具,所构成之组合,其特征为前述加热体与前述半导体基板之面成实质上平行者。2.如申请专利范围第1项之加热炉与半导体基板装载治具之组合,其中一具有与前述一片或二片之半导体基板几乎相同之形状且比该半导体基板之尺寸为小之蓄热板乃于前述均热区内,成与前述一片或二片半导体基板实质上平行地设置为其特征者。3.一种半导体基板装载治具,其乃于直立炉或横置炉之长轴方向之延伸方向设置,且具有中空部之气体导入管之前端区设置半导体基板之装载治具,而于该装载治具所设之半导基板之装载部,形成喷出由前述气体导入管送来而与该半导体基板不作化学反应之不活性气体之喷出孔为其特征者。图式简单说明:第1图为显示习知之单片式直立热壁型加热炉之一例的剖面图;第2图为显示本发明立直之炉与直立装载之晶圆装载治具之组合之一例之图,为图3之A-A之剖面图(但气体导入管4,排气管11省略);第3图为第2图之炉之纵剖面图;第4图为显示本发明之直立炉,晶圆装载治具及蓄热板之组合之一例之横剖面图;第5图为第4图之A-A剖面图;第6图为显示本发明之横置炉与直立装载晶圆之装载治具之组合之一例,为第7图之A-A剖面图;第7图为第6图B-B剖面图;第8图为显示晶圆装载治具之爪部构造之一例之图,而为第7图之C-C剖面图;第9图为显示晶圆装载治具爪部构造之另一例之第7图之B-B剖面图;第10a图及第10b图为横置于横置炉内装载晶圆之治具之图;第10c图为说明依照本发明进行矽晶圆加热之示意图;第11图为显示依照本发明之横置炉与横置之晶圆之横装载治具之组合之侧面图;第12图为第11图之平面图,及第13图为显示第11图及第12图之框架之断面之图。
地址 日本