| 主权项 |
1.一种电子装置之制造方法,该电子装置包含由绝缘性陶瓷基板及覆盖该陶瓷基板表面之覆盖构件所构成之框体,且该框体内部安装有至少一个电子元件,该制造方法包含以下步骤:藉烧固含有无机粉末及黏合剂之复合物而制造出平板状陶瓷基板后,将前述陶瓷基板依照预定之装置设计进行形状加工,形成业经赋予形状之陶瓷基板;于前述业经赋予形状之陶瓷基板之表面形成金属化层;于前述业经赋予形状之陶瓷基板之预定范围安装前述电子元件;及以前述覆盖构件密封业已安装前述电子元件之前述陶瓷基板。2.如申请专利范围第1项之电子装置之制造方法,其中前述业经赋予形状之陶瓷基板表面中,与前述覆盖构件抵接之范围亦形成有前述金属化层。3.一种电子装置之制造方法,该电子装置包含由绝缘性陶瓷基板及覆盖该陶瓷基板表面之覆盖构件所构成之框体,且该框体内部安装有至少一个电子元件,该制造方法包含以下步骤:藉烧固含有无机粉末及黏合剂之复合物,制造出具有最终可提供多数个前述电子装置之尺寸之平板状大开陶瓷基板后,将前述陶瓷基板依照预定之装置设计进行形状加工,形成业经赋予形状之大开陶瓷基板;于前述业经赋予形状之大开陶瓷基板之表面形成金属化层;于前述业经赋予形状之大开陶瓷基板之预定范围安装前述电子元件;利用前述覆盖构件密封业已安装前述电子元件之前述大开陶瓷基板以制造多数个电子装置;及将前述电子装置由前述大开陶瓷基板各自割开之步骤。4.如申请专利范围第3项之电子装置之制造方法,其中前述业经赋予形状之大开陶瓷基板表面中,与前述覆盖构件抵接之范围亦形成有前述金属化层。5.一种电子装置之制造方法,该电子装置系包含由绝缘性陶瓷基板及覆盖该陶瓷基板表面之覆盖构件所构成之框体,该框体内部安装有至少一个电子元件,该制造方法包含以下步骤:藉烧固含有无机粉末及黏合剂之复合物,制造出具有最终可提供多数个前述电子装置之尺寸之平板状大开陶瓷基板后,依照预定之装置设计,于前述大开陶瓷基板中框取单元基板,同时对各个单元基板进行形状加工,形成业经赋予形状之单元基板;由前述大开陶瓷基板切开取出前述单元基板;于前述单元基板之表面形成金属化层;于前述单元基板之预定范围安装前述电子元件;利用前述覆盖构件密封业已安装前述电子元件之前述单元基板以制造电子装置;及将前述电子装置由前述单元基板各自割开。6.如申请专利范围第5项之电子装置之制造方法,其系于前述大开陶瓷基板之一部分设置临时基准位置以框取前述单元基板。7.如申请专利范围第5项或第6项之电子装置之制造方法,其系于前述大开陶瓷基板中框取多数个前述单元基板。8.如申请专利范围第5项或第6项之电子装置之制造方法,其中前述单元基板之表面中,与前述覆盖构件抵接之范围亦形成有前述金属化层。9.如申请专利范围第3项或第4项之电子装置之制造方法,其系藉于前述大开陶瓷基板之表面涂覆厚膜导体糊并烧固来形成前述金属化层。10.如申请专利范围第3项或第4项之电子装置之制造方法,其中在前述形状加工步骤中,于前述大开陶瓷基板之预定位置上形成有贯通该基板之至少一个通孔及(或)至少一个装载电子元件用凹穴。11.如申请专利范围第10项之电子装置之制造方法,其系藉于前述通孔充填厚膜导体糊并烧固来施行金属化加工,以形成用以接续前述电子元件与外部元件等之电性导通部。12.如申请专利范围第9项之电子装置之制造方法,其系使用以Ag为主成分之糊体作为前述厚膜导体糊。13.如申请专利范围第3项或第4项之电子装置之制造方法,其中前述金属化层之上更形成有镀层。14.如申请专利范围第3项或第4项之电子装置之制造方法,其中藉前述覆盖构件之密封系隔着由形成于前述大开陶瓷基板之表面之低温硬焊合金材或低熔点玻璃所构成之接合层来进行。15.如申请专利范围第14项之电子装置之制造方法,其系使用Au-Sn合金、Au-Ge合金、Au-Si合金或Ag-Ge合金之金属薄片或糊体作为前述低温硬焊合金材。16.如申请专利范围第3项或第4项之电子装置之制造方法,其系使用水晶共振器作为前述电子元件。17.一种电子装置,系包含由绝缘性陶瓷基板及覆盖该陶瓷基板表面之覆盖构件所构成之框体,且该框体内部安装有至少一个电子元件,其特征在于:前述框体之陶磁基板,系由烧固含有无机粉末及黏合剂之复合物所形成之平板状陶瓷基板构成;前述陶瓷基板上,具备有用以接续前述电子元件与外部元件等之至少一个电性导通部;前述电性导通部系于烧成前述陶瓷基板后,贯通该基板并藉形状加工而形成之通孔,充填厚膜导体糊并烧固进行金属化加工所形成者;前述陶瓷基板之表面,具备有于前述陶瓷基板烧成后藉烧成厚膜导体糊所形成之金属化层;又前述陶瓷基板与前述覆盖构件,系隔着形成于前述陶瓷基板上之低温硬焊合金材或低熔点玻璃所构成之接合层来熔接。18.如申请专利范围第17项之电子装置,其中前述电子元件系安装于在前述陶瓷基板烧成后藉对该陶瓷基板进行形状加工所形成之凹穴中。19.如申请专利范围第17项或第18项之电子装置,其中前述厚膜导体糊系由以Ag为主成分之糊体所形成。20.如申请专利范围第17项或第18项之电子装置,其中前述金属化层之上更具有镀层。21.如申请专利范围第17项或第18项之电子装置,其中前述低温硬焊合金材系Au-Sn合金、Au-Ge合金、Au-Si合金或Ag-Ge合金之金属薄片或糊体。22.如申请专利范围第17项或第18项之电子装置,其中前述电子元件系水晶共振器。图式简单说明:第1A图及第1B图系各自使用于制造习知之水晶共振单元之标准尺寸薄片之平面图。第2图系藉叠合标准尺寸薄片所制造之叠合生坯之平面图。第3A图~第3E图系各自依序显示使用第2图之叠合生坯薄片制造水晶共振单元之习知方法之截面图。第4图系显示藉本发明之水晶共振单元之适宜例子之截面图。第5图系显示藉本发明之水晶共振单元之另一适宜例子之截面图。第6图系显示藉本发明之晶体振荡器之适宜例子之截面图。第7A图~第7F图系将本发明之以取得多数个之方式制造水晶共振单元之方法依序显示之截面图。第8A图~第8G图系将本发明之以取得单数个之方式制造水晶共振单元之方法依序显示之截面图。 |
