发明名称 | 功率MOSFET及利用自对准体注入制作其的方法 | ||
摘要 | 一种制造功率MOSFET的方法,该方法包括:在半导体层内制作一个沟槽,制作用于排列沟槽的栅极绝缘层,在沟槽的下部制作一个栅极导电层,然后制作用于填充沟槽之上部的绝缘层。去除绝缘层侧面附近的半导体层部分,从而其上部从半导体层向外延伸。在向外延伸的绝缘层上部的侧面附近制作隔层,使用隔层作为用于限定源/体接触区域的自对准掩模。 | ||
申请公布号 | CN1447982A | 申请公布日期 | 2003.10.08 |
申请号 | CN01814377.6 | 申请日期 | 2001.07.18 |
申请人 | 快捷半导体有限公司 | 发明人 | 曾军 |
分类号 | H01L21/336;H01L29/10 | 主分类号 | H01L21/336 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李强 |
主权项 | 1.一种形成MOSFET的方法,包括:在半导体层上形成一个沟槽;形成衬在该沟槽上的栅极介电层;在沟槽的下部形成一个栅极导电层;形成用于填充沟槽的上部的一个介电层;去除与介电层横向相邻的半导体层部分,从而使其上部从半导体层向外延伸;形成与向外延伸的介电层上部横向相邻的隔层;以及使用该隔层作为限定源/体接触区域的自对准掩模。 | ||
地址 | 美国缅因 |