| 发明名称 | 磁控管等离子体用磁场发生装置、使用该磁场发生装置的等离子体蚀刻装置和方法 | ||
| 摘要 | 在具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁的磁控管等离子体用磁场发生装置中，更进一步，使用该磁场发生装置的蚀刻装置和方法中，通过控制相对于被实施了蚀刻等的等离子体处理的晶片(被处理体)的处理面的磁场方向，可以提高晶片处理面整体的等离子体处理的均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN1451175A | 申请公布日期 | 2003.10.22 |
| 申请号 | CN01815034.9 | 申请日期 | 2001.08.28 |
| 申请人 | 信越化学工业株式会社;东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 宫田浩二;广濑润;小田岛章;户泽茂树;久保田和宏;千叶祐毅 |
| 分类号 | H01L21/3065;H05H1/46 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林潮;顾红霞 |
| 主权项 | 1.一种磁控管等离子体用磁场发生装置，该装置具有多个柱状的各向异性分段磁铁被环状配置的偶极环磁铁，其特征在于，控制相对于被实施等离子体处理的晶片表面的磁场方向。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||