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发明名称
半导体雷射及其制造方法
摘要
在实折射率波导型的半导体雷射之中,得到高输出的半导体雷射。本发明系提供一种半导体雷射,其特征为具备:第1导电型披覆层、藉由电流注入放射光的活性层、第1的第2导电型披覆层、作为脊型波导电路的第2的第2导电型披覆层、隔着前述第2的第2导电型披覆层而形成于其两侧而具有较前述第1和第2的第2导电型披覆层大的带间隙(bandgap)的阻流层、以导入电流于前述第2的第2导电型披覆层而具有仅阻止流向上述阻流层的泄漏电流的流入的移动度所构成的第3的第2导电型披覆层。
申请公布号
TW200306044
申请公布日期
2003.11.01
申请号
TW092105510
申请日期
2003.03.13
申请人
东芝股份有限公司
发明人
田中明;田中宏和;伊藤义行;玄永康一
分类号
H01S5/30
主分类号
H01S5/30
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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