| 主权项 |
1.一种利用和移除无机防反射涂层之方法,包括以下步骤:在欲经处理之半导体装置结构上提供第一介电层,该第一介电层系相对于该半导体装置结构可选择性移除;在该第一介电层上形成无机介电防反射涂层(DARC),该DARC系相对于该第一介电层可选择性移除;在DARC上模制抗蚀剂层,该抗蚀剂系相当于该DARC可选择性移除;蚀刻该半导体装置结构;及选择性移除该抗蚀剂层、DARC和第一介电层,其中一保形第一介电层形成一外伸结构系提供做为该第一介电层,以最小化藉由DARC之垂直表面的覆盖。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一介电层包括氧化矽或聚合物。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该在第一介电层上形成无机介电防反射涂层(DARC)之步骤包括形成包含氧氮化矽之DARC之步骤。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该在第一介电层上形成无机介电防反射涂层(DARC)之步骤包括使DARC退火之步骤,以防止抗蚀剂层和DARC之间相互作用。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该在第一介电层上形成无机介电防反射涂层(DARC)之步骤包括由化学气相沈积方法和物理气相沈积方法的其中一方法沈积DARC之步骤。6.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括在DARC上形成第二介电层,该第二介电层系相对于该DARC可选择性移除。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该保形第一介电膜系使用SiH4及N2O沉积而成。图式简单说明:图1为根据本发明利用深渠沟电容器技术和显示所沈积具外伸结构之介电层之半导体晶片之横截面图;图2为根据本发明显示其上沈积无机介电防反射涂层(DARC)之图1半导体晶片之横截面图;图3为根据本发明显示在DARC上形成另一种电介质以形成夹层结构之图2半导体晶片之横截面图;图4为根据本发明显示模型化抗蚀剂之图3半导体晶片之横截面图;图5为根据本发明显示所形成浅渠沟隔离(STI)位置之图4半导体晶片之横截面图;图6为根据本发明显示选择性移除夹层结构之图5半导体晶片之横截面图;图7为根据本发明利用深渠沟电容器技术和显示非保形沈积介电层之半导体晶片之横截面图;图8为根据本发明显示其上沈积无机介电防反射涂层(DARC)之图7半导体晶片之横截面图;图9为根据本发明显示模型化抗蚀剂之图8半导体晶片之横截面图;图10为根据本发明显示根据模型化抗蚀剂移除DARC和介电层之图9半导体晶片之横截面图;图11为根据本发明显示浅渠沟隔离(STI)位置之图10半导体晶片之横截面图;图12为根据本发明显示选择性移除DARC和介电层之图11半导体晶片之横截面图;图13为根据本发明显示具有欲用抗蚀剂层模制之介电层和DARC之半导体晶片之横截面图;图14为根据本发明显示根据抗蚀剂层模制之DARC和介电层之图13半导体晶片之横截面图;及图15为根据本发明显示剥离抗蚀剂层和用DARC作硬掩模蚀刻半导体装置结构之图14半导体晶片之横截面图。 |
