一种发光二极体结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极体结构，至少包括：一基板、一网格层、一第一型态半导体层，以及一第二型态半导体层。其中，网格层具有一网格图案，可使得朝发光二极体元件内部放射的光线能够反射回去而朝外界之方向行进，因而不会使所有光线一直在发光二极体元件内部行进，乃至于被内部各层所吸收。此外，本发明亦提供一种发光二极体之制造方法，其系在发光二极体元件之磊晶过程中成长一网格层，而完成本发明之发光二极体结构。