发明名称 半导体元件
摘要 一半导体元件具有用于修复于完工后所发现之缺陷的可程式雷射熔线,其中将护圈与熔线图案设计成占用较小的晶片空间。半导体元件具有一条平行矩形护圈之纵轴而延伸之熔线图案,以及若干个从熔线图案衍生并朝该轴垂直方向从护圈伸出之图案。半导体元件亦具有多个记忆体元件阵列,其每个皆连接至一个用于接收与传送存储讯号之I/O埠。该等阵列中之一个阵列系作为修复用途之冗余记忆体元件阵列。元件还具有用于改变I/O埠与存储元件阵列间之接线的开关电路,其不是选择I/O埠之预设记忆体元件阵列就是选择包括冗余记忆体元件阵列之其相邻的记忆体元件阵列。
申请公布号 TW200307344 申请公布日期 2003.12.01
申请号 TW092106091 申请日期 2003.03.19
申请人 富士通股份有限公司 发明人 牧康彦
分类号 H01L21/82 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本