| 摘要 |
本发明提供一用于特征化一化学机械式抛光制程之系统。该系统包括一金属、多矽晶、及／或介电层及／或底材及一位于该金属、多矽晶及／或介电层之中及／或之上之电阻元件及／或电阻单体。该系统亦包括：一能自电阻元件及／或电阻单体中读取晶元电阻并能依电阻值以决定晶元应力以特征化该化学机械式抛光制程之电阻监控系统。是种特征包括产生关于晶元电阻及抛光速率间之关系的资讯，抛光一致性及抛光过程中所衍生的缺陷。是种关系系关联于与抛光时间、压力、速度、研浆性质及晶元／金属层性质等参数有关的晶元电阻(亦即，晶元应力)。 |
