具多层布线之半导体元件的制造方法

摘要

一种制造半导体元件之方法，包含下列步骤：(X)形成一第一疏水绝缘层于一半导体基板上方；(Y)亲水化该第一疏水绝缘层表面；以及(Z)形成一第一介电常数绝缘层于该具有一亲水化表面之第一疏水绝缘层上，该低介电常数绝缘层具有比氧化矽之比介电常数更低的比介电常数。提供一种半导体元件制造方法，其可抑制低介电常数绝缘层由下方疏水层剥离。