| 主权项 |
1.一种蚀刻基材上之矽的方法,该方法至少包含步骤:形成一经图样之光阻层于该欲被蚀刻之矽层上;及按下列步骤蚀刻该矽层所暴露之区域:(i)将由SF6,氧及氮所组成之蚀刻气体通入一基材处理室中;以及(ii)由该蚀刻气体激励一电浆于该处理室中。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之于蚀刻气体中之氧及氮系来自氮分子及氧分子。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之于蚀刻气体中之氧及氮系来自氧化氮及氧分子。4.一种蚀刻安置于一基材处理室内之基材上之矽的方法,该方法至少包含步骤:将包含SF6,氧及氮之蚀刻气体通入该室中,其中氧分子对SF6之体积比系于0.5:1及1:1之间(包含两端之値)及SF6对氮分子之体积比系于1:1及4:1之间(包含两端之値);由该蚀刻气体激励一电浆于该室中;及蚀刻该矽。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之氧分子对SF6之体积比系于0.8:1及1:1之间(包含两端之値)。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之SF6对氮分子之体积比系于1.5:1及2:1之间(包含两端之値)。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之蚀刻气体由SF6,氧分子及氮分子所组成。8.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之矽系为形成在基材上之多晶矽层。9.如申请专利范围第4项所述之方法,其中上述之被蚀刻之矽系为矽基材。10.一种基材上形成储存电容器之方法,该方法至少包含步骤:(a)沉积一多晶矽层于基材上;(b)形成一有图案光阻罩于多晶矽层上;及(c)蚀刻该多晶矽层,藉由以下步骤:(i)将包含SF6,氧分子及氮分子之蚀刻气体通入该室中,其中氧分子对SF6之体积比系于0.5:1及1:1之间(包含两端之値)及SF6对氮分子之体积比系于1:1及4:1之间(包含两端之値);(ii)施加电感耦合能量至该室,以由该蚀刻气体激励一电浆于该室中。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之氧分子对SF6之体积比系于0.8:1及1:1之间(包含两端之値)。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之SF6对氮分子之体积比系于1.5:1及2:1之间(包含两端之値)。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中上述之蚀刻气体由SF6,氧分子及氮分子所组成。14.一种蚀刻安置于一基材处理室内之基材上之矽的方法,该方法至少包含步骤:将包含SF6,氧化氮及氧分子源之蚀刻气体通入该室中,其中氧分子对SF6之体积比系于0.25:1及0.5:1之间(包含两端之値)及SF6对氧化氮之体积比系于1:1及4:1之间(包含两端之値);由该蚀刻气体激励一电浆于该室中;及蚀刻该矽。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之氧分子对SF6之体积比系于0.4:1及0.5:1之间(包含两端之値)。16.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之SF6对氧化氮之体积比系于1.5:1及2:1之间(包含两端之値)。17.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之蚀刻气体由SF6,氧化氮及氧分子所组成。18.如申请专利范围第14项所述之方法,其中上述之矽系为形成于基材上之多晶矽层。19.一基材处理系统,至少包含:一基材处理室,一气体分配系统,架构以将气体流入基材处理室中;一电浆产生系统,架构以由室中之气体于基材处理室中形成一电浆;一基材传送系统,架构以传送基材进出基材处理室;一控制器,用以控制该气体分配系统,电浆产生系统及基材传送系统;及一记忆体,连接至该控制器,该记忆体包含一电脑可读取媒体,具有一电脑可读程式内藏于其间,用以导引基材处理系统之操作,该电脑可读程式包含:电脑指令,其控制基材传送系统,以传送具有矽于其上之基材进入基材处理室中;电脑指令,其控制气体分配系统,以将基本上由SF6,氧及氮组成之蚀刻气体通入该基材处理室中,其中氧分子对SF6之体积比系于0.5:1及1:1之间及SF6对氮分子之体积比系于1:1及4:1之间;及电脑指令,其控制电脑产生系统,以由该蚀刻气体激励一电浆于该基材处理室内,以蚀刻该矽。图式简单说明:第1图为包含具有垂直电极板之电容结构之动态随机存取记忆体(DRAM)之一部份之简化剖面图;第2A图为本发明之方法可以使用之例示半导体晶圆处理系统之部份剖面图;第2B图为第2A图之半导体晶圆处理系统之方块图;及第3图为本发明之较佳实施例之流程图。 |
