发明名称 inductive coupled plasma generation source
摘要 <p>본 발명은 반도체 제조를 위한 챔버형 프로세스 모듈에 내장되는 플라즈마 발생소스에 관한 것으로, 고 주파수 전력을 공급하는 알에프(RF : Radio frequency) 전원과, 상기 알에프 전원을 통해 공급된 전류의 임피던스를 정합하는 임피던스 정합장치와, 상기 임피던스 정합장치를 통해 정합된 전류가 인가되어 전자기장을 발생하는 안테나를 각각 포함하는, 복수개의 플라즈마 발생회로로 구성되는 플라즈마 발생소스를 제공하여, 보다 균일한 밀도 분포의 플라즈마를 생성 가능케 한다.</p>
申请公布号 KR100415944(B1) 申请公布日期 2004.01.24
申请号 KR20010061983 申请日期 2001.10.09
申请人 发明人
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
地址