发明名称 |
形成接触窗的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种形成接触窗的方法,首先在一基底上形成一介电层,并且在介电层上形成一图案化的光阻层。接着以光阻层为一蚀刻罩幕移除介电层的部分厚度,而形成一第一开口。之后在光阻层的表面上形成一第一衬层,并且以第一衬层为一蚀刻罩幕移除第一开口底下的介电层的部分厚度,而形成一第二开口,其范围涵盖第一开口。接着,在光阻层上形成一第二衬层覆盖第一衬层,并且以第二衬层为一蚀刻罩幕移除第二开口底下的介电层,而形成第三开口以暴露出基底,且范围涵盖第二开口。在将第二衬层、第一衬层与光阻层移除之后,在第三开口中填入一导电层,以形成一接触窗。 |
申请公布号 |
CN1471152A |
申请公布日期 |
2004.01.28 |
申请号 |
CN02140776.2 |
申请日期 |
2002.07.24 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
游正达 |
分类号 |
H01L21/768;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王学强 |
主权项 |
1.一种形成接触窗的方法,其特征在于:包括:在一基底上形成一介电层;在该介电层上形成一图案化的光阻层;利用该光阻层为一蚀刻罩幕移除该介电层的部分厚度,以形成一第一开口;在该光阻层的表面上形成一第一衬层;利用该第一衬层与该光阻层为一蚀刻罩幕以移除该第一开口底下的该介电层的部分厚度,以形成一第二开口,该第二开口的范围涵盖该第一开口;在该光阻层上形成一第二衬层,覆盖该第一衬层;利用该第二衬层与该光阻层为一蚀刻罩幕以移除该第二开口底下的该介电层,以形成一第三开口,暴露出该基底,该第三开口的范围涵盖该第二开口;移除该第二衬层、该第一衬层与该光阻层;在该第三开口中填入一导电层,以形成一接触窗。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |