| 主权项 |
1.一种主动矩阵型显示装置,其特征在于:包含对形成于绝缘基板上之矽膜选择性地照射雷射光而被改性之改性区域,并包含在该改性区域具有主动电路之主动矩阵基板者。2.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中前述主动电路系位在前述主动矩阵基板之显示区域之像素电路者。3.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中前述主动电路系位在前述主动矩阵基板之周边区域之驱动电路者。4.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中前述主动电路系以底闸型薄膜电晶体形成者。5.如申请专利范围第1项之主动矩阵型显示装置,其中前述主动电路系为薄膜电晶体,该薄膜电晶体之闸极系为利用以钨或钼为主成分之配线材料形成者。6.如申请专利范围第2项之主动矩阵型显示装置,其中前述像素电路之配置间距系等于像素间距者。7.如申请专利范围第2项之主动矩阵型显示装置,其中前述像素电路之配置间距系等于像素间距之2倍者。8.如申请专利范围第7项之主动矩阵型显示装置,其中前述像素电路之配置间距与周边电路之配置间距系相等者。9.一种主动矩阵型显示装置之制造方法,其特征在于:该方法系制造一主动矩阵型显示装置者,该主动矩阵型显示装置系包含对形成于绝缘基板上之矽膜选择性地照射雷射光而被改性之改性区域,并包含在该改性区域具有主动电路部之主动矩阵基板者;且该方法系将前述像素电路部集中配置于前述主动矩阵基板,在该集中配置之部分,利用往返扫描将雷射光选择性地照射于前述像素电路部之矽膜而加以改性,在改性后之矽膜形成像素电路者。10.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中前述像素电路部之矽膜系为以CVD法形成之非晶质矽膜,前述改性后之矽膜系为多晶矽膜者。11.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中前述像素电路部之矽膜系为由非晶质矽膜改性后之多晶矽膜,改性后之矽膜系为进一步改性后之多晶矽膜者。12.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中前述像素电路部之矽膜系为以溅射法形成之多晶矽膜,改性后之矽膜系为进一步改性后之多晶矽膜者。13.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中前述像素电路部之矽膜系为以CVD法形成之多晶矽膜,改性后之矽膜系为进一步改性后之多晶矽膜者。14.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中在前述主动矩阵基板上将前述被选择性地照射雷射光之区域形成条带状者。15.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中对形成于前述主动矩阵基板之矽膜,利用往返动作选择性地将雷射光照射在前述像素电路部之矽膜而施行改性,并在该改性后之矽膜形成像素电路者。16.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中使用前述雷射光之波长为400nm至2000nm之固体雷射者。17.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中产生前述雷射光之雷射系为准分子雷射者。18.如申请专利范围第9项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中扫描前述主动矩阵基板上之前述雷射光之照射宽系为20m至1000m者。19.如申请专利范围第18项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中前述雷射光之扫描速度系为1mm/s至1000mm/s者。20.如申请专利范围第18项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中扫描前述主动矩阵基板上之雷射光系为将单一雷射光分割而成之多数雷射光,使用前述多数雷射光平行地扫描者。21.如申请专利范围第18项之主动矩阵型显示装置之制造方法,其中扫描前述主动矩阵基板上之雷射光为使多数雷射振荡机执行平行动作之多数雷射光,使用前述多数雷射光平行地扫描者。图式简单说明:图1A~1C系表示显示装置之第一实施例之主动矩阵基板之构成步骤之模式的剖面图。图2系表示显示装置之第一实施例之主动矩阵基板之矽膜之改性用之雷射光照射图案之模式的说明用之平面图。图3系表示显示装置之第一实施例之主动矩阵基板之矽膜之改性用之雷射光照射装置之模式的构造图。图4系表示显示装置之第一实施例之主动矩阵基板之矽膜之改性用之雷射光照射作业步骤之说明流程图。图5A、5B系表示显示装置之第一实施例之主动矩阵基板之矽膜之改性用之雷射光照射之立体的说明图。图6A、6B系雷射光照射部与薄膜电晶体之构成之模式的说明图。图7系主动矩阵基板之像素部与雷射光照射区域之关系之说明用之平面图。图8系第一实施例之主动矩阵基板之像素部与雷射光照射区域之关系之说明用之平面图。图9A~9C系表示显示装置之第三实施例之主动矩阵基板之构成步骤之模式的剖面图。图10系说明第五实施例之雷射光照射部之一图案例之平面图。图11系说明第五实施例之雷射光照射部之另一图案例之平面图。图12系说明第五实施例之雷射光照射部之一图案例之平面图。图13系说明第五实施例之雷射光照射部之另一图案例之平面图。图14系说明第五实施例之雷射光照射部之再另一图案例之平面图。图15系说明第五实施例之雷射光照射部之再又另一图案例之平面图。图16系说明与第五实施例作比较之以往之TN液晶之像素部之配置之平面图。图17系表示第五实施例之一例之本发明之TN液晶之像素部之配置之说明用之平面图。图18系表示第五实施例之另一例之本发明之TN液晶之像素部之配置之说明用之平面图。图19系说明与本发明之第五实施例作比较用之以往之IPS液晶之像素部之配置之平面图。图20系表示第五实施例之一例之本发明之IPS液晶之像素部之配置之说明用之平面图。图21系说明第五实施例之像素部与包含周边电路部之雷射光照射部之图案例之平面图。图22系说明第六实施例之主动矩阵基板之平面图。图23系说明在第七实施例之主动矩阵基板之薄膜电晶体之构造之模式的剖面图。图24系实现本发明之制造方法用之雷射光照射设备之进一步改良之构成例之说明图。图25系使用本发明之显示装置之电子机器之一例之外观图。图26A、26B系利用扫描一般性之准分子脉冲雷射光照射之结晶化方法之说明图。图27A、27B系图26之雷射光照射部之局部平面图与薄膜电晶体部之构成例之说明用之要部平面图。 |
