发明名称 用以形成积层陶瓷电容内部电极之附镍图案层铜箔和利用此附镍图案层铜箔之积层陶瓷电容制造方法以及积层陶瓷电容
摘要 本发明提供一种用以形成积层陶瓷电容内部电极之材料及其制作方法,可制作较传统方式为薄之内部电极。本发明使用一用以形成积层陶瓷电容内部电极之附镍图案层铜箔以达成上述目的,其具有一三层结构,包含有:一铜箔层、一接合界面层,以及一镍图案层,该铜箔层及该镍图案层以可再分离形式接合在一起,其中该镍图案层之厚度介于0.1μm与0.5μm之间。藉由利用上述附镍图案层铜箔,可发展一制作积层陶瓷电容之新方法。
申请公布号 TW575885 申请公布日期 2004.02.11
申请号 TW091111660 申请日期 2002.05.31
申请人 三井金属业股份有限公司 发明人 高桥直臣
分类号 H01G4/12 主分类号 H01G4/12
代理机构 代理人 洪澄文 台北市大安区信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种用以形成积层陶瓷电容内部电极之附镍图案层铜箔,该附镍图案层铜箔具有一三层结构,包含有:一铜箔层、一接合界面层,以及一镍图案层,该铜箔层及该镍图案层以可再分离形式接合在一起,其特征在于:该镍图案层之厚度介于0.1m与0.5m之间。2.如申请专利范围第1项所述之用以形成积层陶瓷电容内部电极之附镍图案层铜箔,其中该接合界面层为一有机接合界面层,其材料系择自一含氮有机化合物、一含硫有机化合物、一羧酸中之一种或两种以上。3.如申请专利范围第1项所述之用以形成积层陶瓷电容内部电极之附镍图案层铜箔,其中该接合界面层为一无机接合界面层,其材质为铬。4.一种积层陶瓷电容之制造方法,且上述积层陶瓷电容具有之内部电极为利用如申请专利范围第1项所述之一种用以形成积层陶瓷电容内部电极之附镍图案层铜箔加以制作,其特征在于:利用上述附镍图案层铜箔上之镍图案层将一绿片层接合至上述附镍图案层铜箔,以提供一积层来形成积层陶瓷电容;将上述积层切至积层陶瓷电容之积层作业大小晶片;剥除上述铜箔层,以使上述积层作业大小晶片之绿片层上形成上述镍图案层;以及将上述具有镍图案层之积层作业大小晶片任意积层并加以烧结。5.一种积层陶瓷电容,包含一内部电极,该内部电极为利用如申请专利范围第1~3项所述之用以形成积层陶瓷电容内部电极之附镍图案层铜箔所制作。图式简单说明:第1图系表示用以形成积层陶瓷电容内部电极之附镍图案层铜箔其剖面图;第2图系表示附镍层铜箔之剖面图;第3图(a)至第3图(b)系表示由附镍层铜箔至附镍图案层铜箔之制作流程;第4图(a)至第4图(b)系表示积层陶瓷电容之制作流程;第5图(c)至第5图(d)系表示积层陶瓷电容之制作流程。
地址 日本