藉由化学汽相沈积以沈积氧化物膜之方法

摘要

一种在半导体基体或晶圆表面上沈积二氧化矽膜的增进方法，对增进在高难度拓扑上沈积膜的完整性特别有用，例如次－0.1微米的拓扑，在次微米拓扑中之高深宽比的沟，在侧壁上层的介面处有些许突出部，以及，在侧壁上有些许内凹区域。在一实施例中，其方法包含使用含氧源及含矽源沈积连续的薄层，在沈积每一层之前，先将前一层的表面暴露于无含矽源的含氧源中进行预处理。连续沈积多层的二氧化矽薄层，直到形成所要的膜厚为止。对具有需要填充之沟的结构而言，每一薄层的厚度要小于沟之最小宽度之半，俾能使用较佳的多层填充沟。