| 摘要 |
提供一种非依电性记忆电路，具有连接各个闸及汲而构成第1反向器之第1及第2电晶体（101、102）、各个闸及汲相互连接而构成第2反向器之第3及第4电晶体（103、104）、字线（107）连接于闸、连接于第1位元线（108）与第2反向器之输入端子之间的第5电晶体（105）、字线（107）连接于闸、连接于第2位元线（109）与第1反向器之输入端子之间的第6电晶体（106）、与各个第1及第2反向器串联连接之第1及第2电阻元件（114、115），第1反向器之输入及输出端子连接于各个第2反向器之输出与输入端子，连接于接地线（111）之第1及第2电阻元件（114、115）之电阻值可电性地变更。 |
