| 发明名称 | 聚合物／层状硅酸盐纳米插层复合材料的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及纳米插层复合材料领域，公开了一种全新的聚合物/层状硅酸盐纳米插层复合材料的制备方法。该方法采用单体、层状硅酸盐在引发剂下合成，合成过程在超临界二氧化碳中进行，反应温度31.2～200℃，反应压力7.5～150MPa。本发明提供的方法简单易行、体系散热较好，反应平稳，不易发生爆聚，安全实用，该方法也不需要溶剂回收设备，最终产物易分离纯化，不需要洗涤干燥设备以及大量的热能消耗，制得复合材料中层状硅酸盐可达到纳米级分散。 | ||
| 申请公布号 | CN1475509A | 申请公布日期 | 2004.02.18 |
| 申请号 | CN03139785.9 | 申请日期 | 2003.07.11 |
| 申请人 | 中国科学院广州化学研究所 | 发明人 | 张斌;陈鸣才 |
| 分类号 | C08F2/44;C08L33/00;C08K3/34 | 主分类号 | C08F2/44 |
| 代理机构 | 广州科粤专利代理有限责任公司 | 代理人 | 余炳和 |
| 主权项 | 1、一种聚合物/层状硅酸盐纳米插层复合材料的制备方法，采用单体和层状硅酸盐在引发剂下合成，其特征在于合成过程在超临界二氧化碳中进行，反应温度31.2～200℃，反应压力7.5～150MPa。 | ||
| 地址 | 510650广东省广州市天河区五山乐意居 | ||