| 主权项 |
1.一种用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,该方法包含:透过一存取埠将一半导体基板导入该压力变化介面,该压力变化介面处于一第一压力;移除来自该半导体基板上所界定之该区域内之湿气;将该压力变化介面内之压力转变至一第二压力;及传输该半导体基板。2.如申请专利范围第1项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,其中该第二压力系一真空状态。3.如申请专利范围第2项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,其中将该压力变化介面之压力转变至一第二压力的方法操作更包含:当转变至该真空状态时,避免凝结形成于该半导体基板上所界定之该区域内,而无须限制一真空抽取率,以使该真空抽取率不会再导入任何微粒物质至该半导体基板上所界定之该区域内。4.如申请专利范围第1项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,其中移除来自该半导体基板上所界定之该区域内之湿气的方法更包含:透过一通过该压力变化介面之一上表面而延伸之通气口埠流入一惰性气体。5.如申请专利范围第1项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,其中该通气口埠位于在该半导体基板之一中心区域上。6.如申请专利范围第1项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,其中上述透过一通过该压力变化介面之一上表面而延伸之通气口埠流入一惰性气体之方法步骤更包含:以该惰性气体覆盖该半导体基板,以保护该半导体基板免受来自该压力变化介面内一已处理半导体基板所发出之反应性物质。7.如申请专利范围第4项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,其中上述透过一通过该压力变化介面之一上表面而延伸之通气口埠流入一惰性气体系发生在该腔室之一存取埠被开启时,以避免湿气进入该半导体基板所界定之该区域。8.如申请专利范围第4项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,更包含:在该半导体基板上所界定之该区域上设置一扩散板,该扩散板与该通气口埠相通。9.如申请专利范围第4项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,其中一气体流率系介于每分钟10标准公升及每分钟100标准公升之间。10.如申请专利范围第8项之用于调节一压力变化介面中一半导体基板上所界定之一区域内环境的方法,其中该半导体基板之一顶部表面及该扩散板之一底部表面之间的一距离在3mm及3cm之间。11.一种用以在不同压力下操作之模组之间转移一半导体基板之腔室,该腔室包含:一基底,其界定一出口,该出口允许该腔室内一大气之移除以产生一真空;一基板支座,配置来支撑该腔室内该半导体基板;一顶部,具有一入口,该入口系配置来允许该腔室之一气体导入以移除该基板支座上方所界定之一区域中的湿气;以及侧壁,自该基底延伸至该顶部,该侧壁包含该半导体基板之进入及取出的存取埠。12.如申请专利范围第11项之用以在不同压力下操作之模组之间转移一半导体基板之腔室,更包含:一扩散板,与该入口相通,该扩散板位于该基板支座上方所界定之该区域上方。13.如申请专利范围第11项之用以在不同压力下操作之模组之间转移一半导体基板之腔室,其中该腔室之该出口系与一用来在该腔室中产生一真空之一真空泵相通。14.如申请专利范围第11项之用以在不同压力下操作之模组之间转移一半导体基板之腔室,其中被导入该腔室之该气体系一惰性气体。15.如申请专利范围第13项之用以在不同压力下操作之模组之间转移一半导体基板之腔室,其中该扩散板之一底部表面与停置在该基板支座上该半导体基板之一顶部表面之间的一距离在3mm及3cm之间。16.一种半导体基板之处理系统,该系统包含:一第一传输模组,配置成在一第一压力操作;一第二传输模组,配置成在一第二压力操作;一压力变化介面,位于该第一传输模组及该第二传输模组之间,该压力变化介面能够在该第一压力及该第二压力之间转变,该压力变化介面具有一基板支座、一顶部通气口埠及一底部真空埠,该顶部通气口埠被配置成将一流体导入该压力变化介面,其中该流体之该导入移除了该基板支座上方所界定之一区域内的湿气。17.如申请专利范围第16项之半导体基板之处理系统,其中该压力变化介面系一负载室。18.如申请专利范围第17项之半导体基板之处理系统,其中该顶部通气口埠被配置成将该流体输送至位于该基板支座上方之一扩散板。19.如申请专利范围第16项之半导体基板之处理系统,其中被导入该压力变化介面之该流体系一惰性气体。20.如申请专利范围第16项之半导体基板之处理系统,其中该压力变化介面包含一第一存取埠,以提供途径予该第一传输模组;及一第二存取埠,以提供途径予该第二传输模组;该第一压力系一正压力,该第二压力系一真空。21.如申请专利范围第20项之半导体基板之处理系统,其中该流体系于该第一存取埠开启时透过该顶部通气口埠导入该压力变化介面。图式简单说明:图1系一用于半导体制造操作中一负载室之示意图。图2系依本发明一实施例之包含具有顶部通气口埠之负载室之一备有晶圆处理自动化之典型半导体制程系统的示意概图。图3系依本发明一实施例之备有一顶部通气埠及一底部真空埠之一负载室的简化示意图。图4系一第一段抽取率受限之两段式真空抽取与一抽取率不受限之真空抽取的比较图。图5系本发明一实施例中,具一顶部通气口埠之一负载室与一扩散板相通的示意图。图6系依据本发明一实施例,具有一顶部通气口埠及一底部真空埠之一负载室之示意图,其中负载室内有多个晶圆。图7系一流程图,描绘一压力变化介面内所执行之调节半导体基板一区域上方一环境的方法操作。图8系依本发明一实施例之将一腔室内一半导体基板上方一区域内湿气减少之方法操作的一流程图。 |
